АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Метод Чохральского

Читайте также:
  1. I. ГИМНАСТИКА, ЕЕ ЗАДАЧИ И МЕТОДИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ
  2. I. Методические основы
  3. I. Предмет и метод теоретической экономики
  4. II. Метод упреждающего вписывания
  5. II. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ РАБОТЫ
  6. II. Методы непрямого остеосинтеза.
  7. II. Проблема источника и метода познания.
  8. II. УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКАЯ КАРТА ДИСЦИПЛИНЫ
  9. III. Методологические основы истории
  10. III. Предмет, метод и функции философии.
  11. III. Социологический метод
  12. III. УЧЕБНО – МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ПО КУРСУ «ИСТОРИЯ ЗАРУБЕЖНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ К. XIX – НАЧ. XX В.»

Этим методом выращивают полупроводниковые кристаллы Si, Ge, Ga, As; диэлектрики LiNbO3, LiTaO3, TeJ-TeBr-CaF2.

Рисунок 36. Схема выращивания кристалла из расплава методом Чохральского.

1 – кристаллодержатель; 2 – затравка; 3 – растущий кристалл; 4 – нагреватель; 5 – фронт кристаллизации; 6 – тепловой экран; 7 – держатель тигля.

Отличие этого метода лишь в том, что фазовая граница между раствором и растущим кристаллом находится выше уровня расплава.

Процесс формирования шейки и обратного конуса аналогичен предыдущему методу без всяких отличий.

Скорость вытягивания vвыт.=1-40мм/час (в зависимости от материала). Допустимые колебания температуры расплава не выходит за предел половины градуса.

В качестве исходной шихты используется сверхчистый поликристалл аналогичных соединений.

Главная проблема при этом обеспечить минимальное содержание примесей, которые могут быть до 10-8 %, и дислокацией в процессе роста.

Существуют также другие методы выращивания из расплава, например Бриджмена.

Метод Бриджмена.

Рисунок 37. Схема выращивания кристалла из расплава методом Бриджмена.

1 – тигель; 2 – тепловой экран; 3 – затравка; 4 – держатель тигля; 5 – расплав; 6 –нагреватель; 7 – зона охлаждения.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)