АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Насыщенный транзисторный ключ с ОЭ

Читайте также:
  1. Вопрос№25 Агрегатное состояние вещества. Насыщенный и ненасыщенный пар
  2. НАСЫЩЕННЫЙ ПАР И ЕГО СВОЙСТВА
  3. Райский сад, насыщенный жизнью
  4. Транзисторный преобразователь частоты

Ключ выключен, когда (режим отсечки), при этом .

Ключ включен, когда (режим насыщения), при этом .

Так как и , то .

 

а б в

Рис. 6.6. Насыщенный транзисторный ключ с ОЭ (а), его эквивалентная схема
в режиме насыщения (б) и выходные характеристики транзистора (в)

 

При расчете ключа выбирают , определяют , находят , а затем . Поскольку для насыщения необходимо , то выбирают . Степень (качество насыщения) характеризуется коэффициентом насыщения: .

При быстродействие схемы и, наоборот, при быстродействие схемы.

Токовые зеркала


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 |


При использовании материала, поставите ссылку на Студалл.Орг (0.004 сек.)