АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

МОП-транзистор с индуцированным каналом

Читайте также:
  1. Аналоговые ключи на МОП-транзисторах
  2. Керування логічним каналом локальних мереж
  3. МОП-транзисторы со встроенным каналом
  4. Пазухой и нижнечелюстным каналом.
  5. Полевые транзисторы с индуцированным каналом
  6. Полевые транзисторы со встроенным каналом
  7. Узгодження сигналу з каналом

МОП-транзистор с индуцированным каналом имеет подложку с зонами противоположной проводимости для стока и истока, перекрытыми тонким слоем диэлектрика (SiO2), на котором установлен затвор.

Для n-канального МОП-транзистора при приложении положительного напряжения UЗИ вблизи затвора индуцируется токопроводящий канал n-типа. Образование канала можно объяснить, исходя из того, что электроны – неосновные носители заряда – из подложки «притягиваются» к положительному потенциалу затвора, образуя область проводимости n-типа.

Для р-канального МОП-транзистора канал р-типа индуцируется при подаче на электроды напряжений противоположных полярностей по отношению к транзистору n-типа.

Подложка транзистора обычно соединена с истоком или, если предусмотрен ее отдельный вывод, может подключаться к источнику напряжения ниже (выше), чем напряжение истока n-канального (р-канального) транзистора. При подаче такого дополнительного напряжения на подложку относительно истока она начинает действовать как дополнительный затвор, уменьшающий ток стока.

Стоковые характеристики МОП-транзисторов с индуцированным каналом аналогичны стоковым характеристикам ПТ с управляющим p-n-переходом.

МОП n-канальный транзистор

МОП p-канальный транзистор

 

Рис. 11.4. МОП-транзисторы: условное обозначение, структура
и стоково-затворные характеристики

 

Основным достоинством МОП-транзисторов является их высокое входное сопротивление (ток через изолированный затвор практически не течет).

Общим недостатком МОП-транзисторов является их чувствительность к статическому электричеству (выходят из строя при напряжении UЗИ > 20 В).

Недостаток МОП-транзисторов с индуцированным каналом заключается в необходимости работы с напряжением одной определенной полярности.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 |


Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)