АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

МОП-транзисторы со встроенным каналом

Читайте также:
  1. Керування логічним каналом локальних мереж
  2. МОП-транзистор с индуцированным каналом
  3. Пазухой и нижнечелюстным каналом.
  4. Полевые транзисторы с индуцированным каналом
  5. Полевые транзисторы со встроенным каналом
  6. Узгодження сигналу з каналом

МОП-транзистор со встроенным каналом отличается от МОП-тран-зистора с индуцированным каналом лишь тем, что зоны истока и стока соединены токопроводящим каналом, содержащим некоторое количество основных носителей, соответствующих этим зонам. Наиболее часто встречаются транзисторы со встроенным каналом n-типа. В МОП-транзисторе со встроенным каналом на затвор может подаваться напряжение обеих полярностей. При подаче положительного напряжения электроны «втягиваются» в n-канал, тем самым обогащая его основными носителями заряда (режим обогащения). При подаче отрицательного напряжения электроны из канала «выталкиваются» в подложку, тем самым канал будет обедняться основными носителями заряда (режим обеднения).

 

 

Рис. 11.5. Структура МОП-транзистора со встроенным каналом n-типа

 

Стоково-затворные характеристики такого транзистора смещены по горизонтальной оси и располагаются в районе нулевых значений UЗИ.

 

 

Рис. 11.6. Стоково-затворная характеристика МОП-транзистора
со встроенным каналом n-типа (UЗИН – напряжение затвор – исток насыщения)

 

Стоковые характеристики отличаются только наличием значений ±UЗИ.

 

Рис. 11.7. Стоковая характеристика МОП-транзистора со встроенным каналом n-типа


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 |


При использовании материала, поставите ссылку на Студалл.Орг (0.004 сек.)