 |
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция
Поглощение света в полупроводниках
Вопрос № 30
Поглощение света в полупроводниках
Взаимодействие света с твердым телом можно классифицировать как взаимодействие с сохранением кванта энергии и взаимодействие с превращением энергии. К первому виду относятся пропускание, рассеяние и отражение света твердым телом. Ко второму фотолюминесценция, превращение в теплоту, генерация пары электрон-дырка. При взаимодействии с поглощением кванта света происходит поглощение света. Поглощение света, связанного с переходами электронов между энергетическими зонами, носит название собственного поглощения. Переходы между примесными уровнями и зонами обусловлены примесным поглощением света. Собственное или фундаментальное поглощение света в полупроводниках, обусловленное переходами электронов из валентной зоны в зону проводимости при поглощении фотонов с энергией больше ширины запрещенной зоны, является характеристическим для вещества, так как оно определятся зонной энергетической структурой этого вещества. Спектр поглощения представляет собой непрерывную кривую, более или менее круто спадающей в область больших длин волн.
Квантовый выход внутреннего фотоэффекта в полупроводниках определяется как количество электронно-дырочных пар, генерируемых при поглощении одного фотона.
Существующие способы измерения электрофизических параметров носителей заряда основываются на теоретическом положении, что квантовый выход внутреннего фотоэффекта κ(λ) равен нулю при длинах волн излучения λ, равных или больше красной границы фотоэффекта, λg=hc/Eg, где Eg - ширина запрещенной зоны полупроводника, h - постоянная Планка, с - скорость света в вакууме, и равен единице в области собственного поглощения полупроводника λ<λg. Однако в действительности квантовый выход внутреннего фотоэффекта, начиная со значения κ(λg)=0, резко растет до единицы при уменьшении длины волны излучения в области λg/2≤λ≤λg, а в далекой коротковолновой области λ<λ0=λg/2, где энергия фотона достаточна для образования двух и более электронно-дырочных пар, может значительно и даже в несколько раз превышать единицу.
Поиск по сайту: