АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Короткі теоретичні відомості. Параметри напівпровідникових приладів та мікросхем суттєво залежать не тільки від чистоти використовуваних монокристалів

Читайте также:
  1. IX. У припущенні про розподіл ознаки по закону Пуассона обчислити теоретичні частоти, перевірити погодженість теоретичних і фактичних частот на основі критерію Ястремського.
  2. Азербайджанська Республіка: загальні відомості
  3. Виникнення і природа свідомості
  4. Виникнення і природа свідомості. Свідомість і мова.
  5. Виникнення свідомості
  6. Властивості наукової свідомості людини та систематизація науки
  7. Гідність як категорія моральної свідомості
  8. Деформації правосвідомості
  9. Деякі відомості з історії анатомічної термінології
  10. Ємельянова І. Апеляційний і касаційний перегляд судових рішень в цивільному судочинстві: теоретичні та практичні аспекти // Право України. – 2004.–№2.
  11. Загальні відомості
  12. Загальні відомості

Параметри напівпровідникових приладів та мікросхем суттєво залежать не тільки від чистоти використовуваних монокристалів, а й від ступеню дефектності їх кристалічної структури. Тому всі монокристали після вирощування проходять обов′язковий контроль їх якості. Для контролю структурних дефектів в монокристалах кремнію в умовах виробництва використовуються метод вибіркового хімічного травлення в поєднанні з оптичною мікроскопією. Завдяки доступності, простоті одержання та швидкій обробці результатів ці методи широко використовуються для контролю структурних та технологічних дефектів монокристалів і пластин напівпровідників на різних технологічних етапах виготовлення мікросхем та підкладок для наноструктур.

Вирощений монокристал розрізають в тому місці, де хочуть виявити структуру, та ретельно вирівнюють механічною обробкою: шліфуванням та поліруванням виготовляють пласку поверхню розрізу. Підго­товлену в такий спосіб поверхню називають шліфом.Далі шліф травлять. При контролі на виробництві монокристалічного кремнію використовуються селективний травник складу:

 

HF(50%) : CrO3 (водний розчин) : H2O = 5,5 : 1 : 3,5.

 

Хромовий ангідрид(інші назви - оксидхромувалентності VI, трьохокис хрому) CrO3 - це темно-червоні з фіолетовим відтінком кристали у вигляді пластин або голок. Добре розчинний у воді. Гігроскопичний, тобто поглинає водяну пару. У відкритому посуді або на повітрі розпливається.

Плавиться при 196 °C, при атмосферному тиску розкладається нижче температури кипіння. Густина 2,8 г/см³. Розчинність у воді при температурі 15 °C 166 г на 100 г води, а при температурі 100 °C -199 г на100 г. При нагріванні вище 250 °C розкладається.

Хромовий ангідрид дуже отруйний. При влученні на шкіру він викликає найсильніші роздратування, екземи і дерматити. Може спровокувати розвиток рака шкіри. Досить небезпечне вдихання пари хромового ангідриду. Робота з ним вимагає застосування спецодягу й засобів індивідуального захисту.

Хромовий ангідрид хімічно дуже активна речовина Зберігати потрібно з обережністю, тому що при контакті з ним ацетон і багато інших органічних речовин вибухають або самозаймаються. Для зберігання його застосовується скляний або пластиковий герметичний посуд, а також виключення контакту з органічними речовинами.



При хімічній обробці кремнію застосовується в складі селективних травників для виявлення структурних дефектів у монокристалах кремнію. При цьому спочатку розчиняють 250 г CrO3 в 1 л води. У результаті утворюється хромова кислота:

 

CrO3 + H2O → H2CrO4.

 

Поверхня монокристала з досконалою структурою після травлення виглядає цілком однорідною. Якщо монокристал містить структурні дефекти, то в точках їх виходу на поверхню швидкість травління значно вища, ніж досконалої кристалічної решітки. Тому на поверхні пластини утворюються фігури травлення – ямки (рис. 7.1), канавки, горбики.

В умовах виробництва густину різних структурних дефектів в монокристалічному кремнії контролюють за кількістю ямок травлення.

 

 
 

 


а

 
 

 


б

а – лінійні дефекти – дислокації; б - мікродефекти

Рисунок 7.1 – Ямки травлення на структурних дефектах на поверхні монокристалічної пластини кремнію

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |


При использовании материала, поставите ссылку на Студалл.Орг (0.006 сек.)