DRAM (ЗУПВ(Д))

Принцип действия элементов памяти DRAM – хранение информации с помощью емкостей (конденсаторов).

Широко распространены однотранзисторные схемы.

В режиме хранения транзистор закрыт и емкость отключена от шины Y. На ней хранятся либо напряжение, соответствующее логическому 0, либо напряжение, соответствующее логической 1.

В случае хранения логической 1 емкость будет постепенно разряжаться токами утечки в подложку, а в случае логического 0 заряжаться токами утечки транзистора. Следовательно, в обоих случаях необходимо проводить периодическую регенерацию исходных данных, т.е. в динамических ОЗУ нужно восстанавливать информацию.

Регенерация: производят считывание информации и потом с помощью усилителя-регенератора происходит восстановление информации до первичного уровня напряжения и производится запись в элементы памяти.

Режим записи: на шину Y устанавливают напряжение либо логического 0, либо логической 1. Подается положительный импульс выборки. Тогда транзистор открывается и на емкости устанавливается напряжение, поданное на шину Y (0 или1).

Считывание: на шину Y устанавливают опорное напряжение U1 > Uоп. > U0. После этого на шину Х подают положительный импульс выборки. Транзистор открывается и напряжение между емкостями С и Су перераспределяется. Если на емкости С была логическая 1, то на обеих емкостях устанавливается Uоп. + ∆U. Если был логический 0, то Uоп. - ∆U. Эти напряжения являются сигналами шин столбцов и поступают на усилитель считывания. Он сравнивает напряжения, определяя, что было на основной емкости хранения информации. ∆U ≈ 30-50 мВ. Напряжение восстанавливается до исходного и записывается на ячейки.

DRAM потребляет мощность главным образом во время переходных процессов схемами управления и считывания.

DRAM ниже по быстродействию в 20 раз, чем SRAM, но проще в изготовлении и занимают меньшую площадь кристалла.

Поиск по сайту: