АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Порядок выполнения работы. Часть 1 (2 часа) Экспериментальная часть

Читайте также:
  1. F Продолжение выполнения задания
  2. F Продолжение выполнения задания
  3. F Продолжение выполнения задания
  4. F Продолжение выполнения задания
  5. I Психологические принципы, задачи и функции социальной работы
  6. I. Задания для самостоятельной работы
  7. I. Задания для самостоятельной работы
  8. I. Задания для самостоятельной работы
  9. I. КУРСОВЫЕ РАБОТЫ
  10. I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ
  11. I. ОБЩИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ КУРСОВОЙ РАБОТЫ
  12. I. ОБЩИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ КУРСОВОЙ РАБОТЫ

Часть 1 (2 часа) Экспериментальная часть

 

3. Ознакомиться с принципиальной схемой и макетом установки для измерения эффекта поля. Измерить зависимость напряжения сток-исток от напряжения на затворе, для этого:

3.1. Включить в цепь транзистор со встроенным каналом. Для этого включить переключатель VT1-VT2 в положение VT1.

3.1.1. Включить внешний источник питания PS2 в соответствие с полярностью, изображенной на принципиальной схеме установки.

3.1.2. Включить источник питания PS1. Для этого переключить S1 в положение «а».

3.1.3. Переключить S2 в положение «1» и задать Ups2 6 В.

3.1.4. Переключить S2 в положение «3» и задать Uзи 1 В.

3.1.5. Переключить S2 в положение «2» и снять значение Uси, изменяя Uзи от 1 до 9 В с шагом 1 В.

3.1.6. Результаты измерений занести в таблицу 1.

3.2. Включить в цепь транзистор с индуцированным каналом. Для этого включить переключатель VT1-VT2 в положение VT2.

3.2.1. Поменять полярность внешнего источника питания PS2 вручную. Для этого необходимо поменять местами клеммы блока питания.

3.2.2. Повторить пункты 3.1.2 – 3.1.5 для Ups2 = 6 В. Чтобы задать Ups2, необходимо S2 переключить в положение «1».

3.2.3. Результаты измерений занести в таблицу 1.

 

    Результаты измерений Результаты расчетов
Транзистор Ups2, В Uзи, В Uси, В Iс, мА Gк, 1/Ом
VT1            
     
     
     
VT2        
     
     
     

Таблица 1 – Результаты измерений.

 

3.3. Рассчитать значения тока стока для VT1 и VT2 для всех значений Uзи по формуле:

Iс = (Ups2 – Uзи)/R2, где R2 = 1 кОм

3.4. Рассчитать значения проводимости канала по формулам:

Gк = Iс/Uси

3.5. Результаты расчетов представить средствами математического пакета MathCAD в векторном виде.

3.6. Построить графики зависимости тока стока от напряжения на затворе Iс(Uзи) и графики зависимости проводимости канала от напряжения на затворе Gк(Uзи) для VT1 и VT2.



 

Часть 2 (2 часа) Компьютерное моделирование зависимости поверхностной проводимости от величины поверхностного потенциала Ys

 

Исследовать математическую модель зависимости поверхностной проводимости Gs от безразмерного поверхностного потенциала Ys для полупроводника n-типа при разной степени легирования λ средствами прикладного пакета программ MathCAD.

3.7. Построить график зависимости поверхностной проводимости от величины поверхностного потенциала Gs(Ys) по формуле (5), с учетом формул (1), (2), (3), (4).

3.8. Построить энергетические диаграммы с изгибом зон полупроводника для режимов обогащения, обеднения и инверсии типа проводимости.

При построении энергетических диаграмм для простоты предполагать, что зависимость Y(x) экспоненциальная:

, где

Содержание отчета

1. Данные измерений и расчетов. Графики зависимости тока стока от напряжения на затворе и графики зависимости проводимости канала от напряжения на затворе для транзисторов со встроенным и индуцированным каналами.

2. Графики зависимости поверхностной проводимости от величины поверхностного потенциала и энергетические диаграммы с изгибом зон полупроводника для режимов обогащения, обеднения и инверсии типа проводимости.

3. Анализ полученных результатов.

4. Вывод.

 

 

4. Контрольные вопросы


1 | 2 | 3 | 4 |


При использовании материала, поставите ссылку на Студалл.Орг (0.007 сек.)