АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

МДП – транзисторы

Читайте также:
  1. Биполярные транзисторы с пониженным накоплением заряда в режиме насыщения
  2. Биполярные транзисторы.
  3. Биполярные фототранзисторы
  4. МОП-транзисторы со встроенным каналом
  5. Однопереходные транзисторы и туннельные диоды
  6. Полевые транзисторы
  7. Полевые транзисторы на основе металлооксидной пленки
  8. Полевые транзисторы с индуцированным каналом
  9. Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом (JFET)
  10. Полевые транзисторы со встроенным каналом
  11. Полевые транзисторы.

 

В отличие от полевых транзисторов с р-n переходом, в которых затвор имеет непосредственный электрический контакт с ближайшей областью токопроводящего канала в МДП транзисторах затвор изолирован от указанной области слоем диэлектрика. Поэтому их относят к классу полевых транзисторов с изолированным затвором.

МДП – транзистор имеет структуру – металл – диэлектрик – полупроводник, его выполняют из кремния, в качестве диэлектрика используют окись кремния SiO2. Отсюда другое название таких транзисторов – МОП – транзисторы (металл – окисел – полупроводник).

Принцип его действия основан на эффекте изменения проводимости поверхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Поверхностный слой полупроводника является токопроводящим каналом для этих транзисторов.

МДП – транзисторы выполняются двух типов:

- со встроенным каналом;

- с индуцированным каналом.

Это четырехслойный прибор с четырьмя электродами. Четвертый электрод выполняет вспомогательную функцию – это вывод от подложки исходной полупроводниковой пластины.

Они могут быть с каналом р- или n-типа.

  со встроенным каналом   с индуцируемым каналом

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)