АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Польовий транзистор з керованим переходом

Читайте также:
  1. Биполярные транзисторы с пониженным накоплением заряда в режиме насыщения
  2. Биполярные фототранзисторы
  3. Биполярный транзистор.
  4. Конструкция некоторых биполярных транзисторов
  5. Конструкция полевых транзисторов с управляющим переходом
  6. Лекция8. Эмиттерно-связанная логика. Транзисторная логика с непосредственными связями (ТЛНС).
  7. Метод уменьшающегося остатка с переходом на равномерный
  8. Общие сведения о транзисторах
  9. Однокаскадные усилители на биполярных транзисторах
  10. Однопереходные транзисторы и туннельные диоды
  11. Особенности применения полевых транзисторов усилительных
  12. По типу усилительных элементов различают: ламповые и транзисторные усилители.

Область каналу, від якої починається рух носіїв, називається витоком (В), а область до якої рухаються основні носії називається, називається стоком (С). Керована область в приладі (вона охоплює канал) називається затвором (З). Електричне поле, яке виникає за наявності напруги між затвором і стоком, змінює електропровідність каналу, а отже і струм через канал. Це кероване електричне поле направлене перпендикулярно до руху носії у каналі, тобто є поперечним. Отже в робочому режимі n-p- перехід зміщений в зворотньому напрямку. Це зміщення забезпечується напругою . Носії в каналі рухаються від витоку до стоку під дією повздовжнього електричного поля, створеного між стоком і витоком при підключенні напруги .

Принцип керування струмом полягає в тому, що змінюючи зворотню напругу на n-p- переході , можна регулювати поперечний переріз провідного каналу та його провідність. У більшості структур канал є слабо легованим тонким шаром, розташованим безпосередньо біля поверхні напівпровідникового кристалу, або ж на деякій відстані від нього паралельно їй. Отже, носії рухаються уздовж поверхні. Витік і стік зазвичай сильно леговані ділянки.

При збільшенні напруги поперечний переріз каналу зменшується, що призводить до зменшення струму стоку . За деякого значення напруги відбувається повне перекриття каналу і струм стоку стає рівним нулю. Напругу, при якій канал перекривається називають напругою відсічки .

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)