АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Польовий транзистор з ізольованим затвором

Читайте также:
  1. Биполярные транзисторы с пониженным накоплением заряда в режиме насыщения
  2. Биполярные фототранзисторы
  3. Биполярный транзистор.
  4. Конструкция некоторых биполярных транзисторов
  5. Конструкция полевых транзисторов с управляющим переходом
  6. Лекция8. Эмиттерно-связанная логика. Транзисторная логика с непосредственными связями (ТЛНС).
  7. Общие сведения о транзисторах
  8. Однокаскадные усилители на биполярных транзисторах
  9. Однопереходные транзисторы и туннельные диоды
  10. Особенности применения полевых транзисторов усилительных
  11. По типу усилительных элементов различают: ламповые и транзисторные усилители.
  12. Полевые транзисторы с индуцированным каналом

Польові транзистори з ізольованим затвором мають структуру метал (М) – діелектрик (Д) – напівпровідник (Н) (скорочено МДН-транзистор) або МОН-транзистор (О – оксид кремнію).

Рис. 5.17 Будова польового транзистора з ізольованим затвором

 

На підкладці р -типу створюють області n- типу, до яких підводять зовнішні електроди витоку та стоку. Провідний шар каналу n- типу утворюєься в поверневому шарі підкладки під діелектриком. Цей канал може бут вбудованим (результат технологічного процесу) та індукованим, що виникає під дією електричного поля, створеного напругою між затвором та витоком. Відповідно транзистори називаються транзисторами з індукованим каналом та транзисторами з вбудованим каналом.

Провідний канал створюється тільки за деякої напруги, яку називають пороговою . Її значення може бути як позитивним (для транзистора з індукованим каналом n- типу) так і негативною (для транзистора з індукованим каналом р- типу). Умовні позначення транзисторів зображено на рис. 5.18 – 5.21.

 

Рис. 5.18 Умовне позначення МОН-транзистора з вбудованим каналом n- типу

Рис. 5.19 Умовне позначення МОН-транзистора з індукованим каналом n- типу

 

Рис. 5.20 Умовне позначення МОН-транзистора з вбудованим каналом р- типу

 

Рис. 5.21 Умовне позначення МОН-транзистора з індукованим каналом р- типу

 

Керована напруга транзисторів з вбудованим каналом може бути як позитивна, так і негативна. Це зумовлено тим, що в цих транзисторах провідний канал існує вже при .

Особливістю МДН-транзисторів є великий вхідний опір.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)