АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Церковное Право

Читайте также:
  1. B. обучение образам правого полушария
  2. I Таможенное право Российской Федерации
  3. I. Нормативно-правовые акты
  4. I. Нормативно-правовые акты
  5. I.1. Римское право в современной правовой культуре
  6. II ОБЩИЕ НАЧАЛА ПУБЛИЧНО-ПРАВОВОГО ПОРЯДКА
  7. IV. Особенности правового регулирования труда беременных женщин
  8. IV. ЭКОЛОГО-ПРАВОВОЙ СТАТУС ЧЕЛОВЕКА
  9. IV.1. Общие начала частной правозащиты и судебного порядка
  10. V. Экономико-правовая концепция Трудового кодекса о регулировании труда женщин
  11. V.1. Общие начала правового положения лиц в частном праве
  12. V.2. Правовые категории лиц в зависимости от status libertatis

Інтегральні мікросхеми поділяють на окремі класи за такими озна­ками: технологією виготовлення, ступенем інтеграції, функціональним призначенням тощо.

І. За технологією виготовлення. Усі інтегральні мікросхеми поділя­ють на напівпровідникові, плівкові та гібридні.

1. Напівпровідникові ІМС виготовляють у приповерхневому шарі монокристалів (кремнію, арсеніду галію) особливої чистоти. В окре­мих місцях монокристалу його структуру перебудовують так, що ці місця стають елементами складної системи, якою є ІМС. У напів­провідникових ІМС усі елементи та з'єднання виготовлені в об'ємі та на поверхні напівпровідникового монокристалу. Частина монокрис­талу розміром 1 мм2 перетворюється в складний електронний прилад, який замінює блок з 50—100 і більше звичайних радіотехнічних де­талей.

2. Плівкові ІМС виготовляють нанесенням різних речовин у вигляді плівок на поверхню підкладки, виготовленої із скла або кераміки.

Плівкові ІМС поділяють на тонкоплівкові (товщина плівкових еле­ментів менша 1 мкм) та товстоплівкові (товщина більша 1 мкм).

Тонкоплівкові ІМС отримують осадженням плівок із різних речовин на нагріту до певної температури поліровану підкладку. Для отриман­ня плівок найчастіше використовують алюміній, титан, титанат барію, оксид олова тощо.

У товстоплівкових ІМС елементи формують протискуванням спеціальних паст через трафарети із подальшим спіканням за високих температур. У таких структурах один із шарів містить резистори, дру­гий – конденсатори, інші шари виконують роль провідників струму та інших елементів. Усі елементи з'єднані між собою й утворюють конкретний електронний пристрій.

3. Гібридні ІМС складаються із плівкових і напівпровідникових еле­ментів. Такі мікросхеми монтують на скляній або керамічній під­кладці: пасивні елементи виготовляють у вигляді металевих і діелект­ричних плівок, активні «навішують» на плівкову схему. Таким чином отримують гібридні ІМС (ГІМС). Гібридні ІМС більшої складності називають великими, їх використовують в регуляторах електричних двигунів.

На сьогодні найширше використовують напівпровідникові та гіб­ридні ІМС. Складність інтегральної мікросхеми характеризується показником, який називають ступенем інтеграції.

II. За ступенем інтеграції інтегральні мікросхеми (ІМС) поділяють на малі (МІМС), середні (СІМС), великі (В1МС) і надвеликі (НВ1МС) (табл. 25.1).



Таблиця 25.1 – Ступені інтеграції ІМС

Кількість елементів у мікросхемі Назва та позначення мікросхем Час створення мікросхем
10-100 малі (МІМС) початок 60-х років
102-103 середні (СІМС) кінець 60-х — 70-ті роки
103-104 великі (БІМС) кінець 70-х років
104-105 надвеликі (НВІМС) початок 80-х років
105-106 надвеликі (мікропроцесори) 90-ті роки

 

III. За функціональним призначенням. Усі мікросхеми поділяються на аналогові та цифрові.

Аналогові мікросхеми служать для перетворення і оброблення сиг­налів, які змінюються за законом неперервної функції.

Цифрові інтегральні мікросхеми призначені для перетворення і оброблення сигналів, які змінюються за законом дискретної функції.

3. Напівпровідникові матеріали для виготовлення ІМС

Напівпровідникову інтегральну мікросхему виготовляють у приповерхневому шарі напівпровідникового монокристала, створюючи в ньому зони, які виконують роль елементів (резисторів, провідників, транзисторів,діодів, конденсаторів тощо).

Для прикладу розглянемо технологію виготовлення напівпровідникових ІМС у приповерхневому шарі кремнієвої пластини (рис. 25.1).

Рисунок 25.1 – Технологічна схема виробництва напівпровідникових ІМС

Напівпровідникові ІМС виготовляють у приповерхневому шарі тонкої пластини, вирізаної з монокристала кремнію. Вибір кремнію зумовлений його властивостями.

Кремній порівняно з іншими напівпровідниками має більш високу температуру плавлення (1415 °С), стійкий до хімічних впливів, його ба­гато в природі (27,6 % маси земної кори), має високу механічну міц­ність, твердість, не піддається корозії, відносно легко очищується від домішок, має стабільний оксид (SiO2), можна отримати монокристали кремнію з однорідною структурою без внутрішніх напружень та оптич­них дефектів, з правильною кристалічною решіткою та дуже чистою (малошорсткою) поверхнею. Всі ці властивості дуже важливі для виробництва якісних ІМС.

‡агрузка...

Для виробництва ІМС використовують монокристали кремнію у вигляді круглих пластин діаметром 100 – 120 мм і товщиною 200 – 400 мкм.

Отримання кремнію. У природі вільного кремнію немає. Сирови­ною для отримання кремнію є кварцовий пісок, який містить кремній у вигляді діоксиду (SіО2). Попередньо очищений пісок відновлюють за допомогою вуглецю:

SiO2 +С→Si + СО2.

Отриманий кремній містить до 2 % домішок (інших хімічних елементів), які змінюють його властивості, а відповідно негативно впливають на якість роботи мікросхем.

Очищення кремнію.Очищують кремній від домішок соляною кис­лотою, воднем та іншими речовинами. Проте очищений хімічним спо­собом кремній не задовольняє вимог, які ставляться до матеріалів, що використовуються в мікроелектроніці. Кінцевим очищенням кремнію є безтигельне зонне переплавлення, яке ще називають зонним очи­щенням.

З очищеного кремнію вирощують монокристали. Кремній плавлять (Тпл = 1420 °С). Отримані монокристали ріжуть на пластини, одну з поверхонь яких шліфують, полірують, промивають, висушують, і готові (чорні, блис­кучі) пластини відправляють для виготовлення ІМС.

 

Церковное Право


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 | 116 | 117 | 118 | 119 | 120 | 121 | 122 | 123 | 124 | 125 | 126 | 127 | 128 | 129 | 130 | 131 | 132 | 133 | 134 |


При использовании материала, поставите ссылку на Студалл.Орг (0.005 сек.)