АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Электронно – дырочный переход

Читайте также:
  1. Алгоритмы электронной цифровой подписи
  2. АНОТАЦИЯ к электронному учебнику «Основы системного анализа»
  3. В электронном виде опубликовано на http://e-management.newmail.ru/ в 2000 г.
  4. Величиной электронного тока пушек и, следовательно, яркостью свечения пикселов, управляет сигнал, поступающий с видеоадаптера.
  5. Волновая функция многоэлектронной системы в одноэлектронном приближении
  6. География электротехнической и электронной промышленности. Сдвиги
  7. Единая инфраструктура обеспечения электронного взаимодействия
  8. Единая система межведомственного электронного взаимодействия
  9. Закон «Об электронной подписи»
  10. Интернет-технологии электронной коммерции при продвижении туристических и гостиничных услуг.
  11. Использование в сфере оборота документированной информации электронной подписи регулируется Федеральным законом №63-ФЗ от 06.04.2011 «Об электронной подписи»
  12. ИСТОРИЯ ПОЯВЛЕНИЯ И РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТАБЛИЦЫ

Приведем кристаллы n- и р-типов в плотное сопри­косновение и рассмот-рим процессы на границе раздела (рис. 1.5). Сразу после соприкосновения кристаллов начнется диффузия дырок из р-области в n-область и элек­тронов обратно. Встречаясь, электроны и дырки рекомбинируют, при этом вблизи граничной плоскости об­разуются два слоя: слева слой отрицательных ионов, справа — слой положительных ионов. Между двумя разноименно за­ряженными слоями возникает внутреннее эл.поле Езап р-п перехода, напряжен­ность кото- рого препятствует диффузии дырок и электронов. При этом из пограничной области вытесняются электроны и дырки. В результате области у границы раз-дела, окажутся обедненными основными носителями эл.зарядов, т.е. в прикон- тактной области образуется тонкий слой, почти лишенный подвижных эл.зарядов и имеющий большое сопротивление – запирающий слой.Для основных носителей эл.зарядов внутреннее электрическое поле Езап является тормозящим, для неосновных – ускоряющим.

Езап

Рис.1.5. Распределение ионов и свободных носителей заряда в областях, близ­ких к р-n-переходу.

Под действием напряжен­ности Езап неосновн. носители начнут дрейфовать навстречу диффундирующим зарядам - основным носителям, возникает дрейфовый ток- ток проводимости, направленный навстречу току диффузии. Динамическое равновесие наступит при равенстве диффузионного и дрейфового токов, при этом слой l сильно обеднен свободными носителями заряда. Это равновесное состояние р-n-перехода.

Пусть к р-n-переходу подключен источник напряжения U.

 

Рис 1.6. Прямое (а) и обратное (б) включение р-n-перехода.

 

Включение р-n-перехода в электри-ческую цепь, когда плюс источника подсоеди­нен к области р, а минус — к области n, называется прямым. Включение, при котором к области р подсоединен минус источника, а к области n — плюс, называется обратным.

При пря­мом включении р-n-перехода разность потенциалов на гра­ницах обедненного слоя (по­тенциальный барьер) умень­шается, а при обратном включении увеличивается, что приводит к возрастанию диффузионного тока и уменьшении встречного дрейфового тока. Результирующий ток (прямой) совпадает с диффузионным. Увеличение потенциального барьера приводит к совпадению результирующего тока с дрейфовым(обратный ток).



Т.о., р-n-переход, включенный в прямом направлении, пропускает электрический ток, а включенный в обратном — не пропускает.

Вентильные свойства р-n-перехода отображаются его вольт-амперной характеристикой, представляющей зависимость значения тока от значения напряжения (рис. 1.7). При достижении обратным напряжением некоторого критического значения Uкр обратный ток возрастает. Этот режим называется пробоем р-n-перехода.

 

Рис.1.7.Вольт-ам­перная характеристика

электронно-дырочного перехода.

 

Пробой наступает при обратном напряжении, равном напряжению пробоя, величина которого зависит от материала и конструкции прибора. При увеличении обратного напряжения растет напряжен-ность внутреннего поля Езап, что увеличивает скорость носителей эл.заряда, создающих обратный ток. Это разрывает ковалентные связи при соударениях и образует добавочные электроны и дырки, увеличивающие обратный ток. При напряжении Uкр число добавочных электронов и дырок увеличивается лавинообразно и обратный ток резко возрастает.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 |


Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)