Принцип підсилення біполярним транзистором

Основне динамічне рівняння

Uке=Eк – Iк*Rн

Uке – напруга між кол. – емітт. – вих. напруга транзистора;

Eк – ЕРС живлення колектора;

Iк – Струм колектора;

Rн – опір навантаження

З приходом позитивної напівхвилі sin вхідного сигналу на вхід підсилювача:

U_КЕ↑ → U_БЕ↑→ I_Б↑ → I_К↑ → U_Н=I_К*R_Н ↑→ U_КЕ ↓

З приходом від’ємної напівхвилі sin вхідного сигналу на вхід підсилювача:

U_КЕ ↓ → U_БЕ↓→ I_Б → I_К↓ → U_Н=I_К*R_Н ↓→ U_КЕ ↑,

Виходячи з основного динамічного рівняння транзисторного підсилювача:

Uке=Eк – Iк*Rн

Вх.:

Вих:

U<=Eк

При незначному збільшенні Uб – Uк збільшується багаторазово. Підсилення сигналу відбувається за рахунок потужності джерела живлення

колектора +Ек.

Вихідна характеристика

Iк= ƒ (Uке)

Iб=const

Iб=400мкА UкєIб=0

Тема 2.4. Інтегральні мікросхеми та логічні елементи.

Заняття 13. Логічні м-схеми на діодах.Інтегральні схеми мікроелектроніки.

М-це галузь електроніки,що займається мікромініторизацією електронних приладів з метою ↓ її v,m,вартості, ↑ надійності та економності на основі комплексу конструктивних,технологічних та схематичних методів.

Інтегральна мікросхема-це мікро – прилад,усі або частина ε якого нероздільно пов’язані та електрично з’єднані між собою так,що пристрій розглядається як одне ціле.

Гібридна ІМС-це МС,частина ε якої мають самостійне конструктивне оформлення.

НапівП ІМС-МС, ε якої виконані в об’ємі n/v на поверхні напівП матеріалу.

МС пристосовані до виконання найрізноманітніших ф-ій

За своїм призначенням МС поділяється на

∫логічні схеми,oтримали найбільше розповсюдження в цифровій ОТ,оперують з імпульсиними ε сигналами,які в залежності від рівня їх амплітуди можуть приймати 2 дискретних значення:0 та 1

аналогові інтегральні схеми

В них відбувається непереривні перетворення вхідних сигналів по тим чи іншим параметрам:амплітуді,частоті,формі,довжині т.д.

Поиск по сайту: