АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

В. Защита выполненного задания у преподавателя ведущего практические занятия

Читайте также:
  1. I. Ситуационные задачи и тестовые задания.
  2. II. Расчетная часть задания
  3. III. Задания для самостоятельной работы по изучаемой теме.
  4. III. Задания для самостоятельной работы по изучаемой теме.
  5. III. Задания для самостоятельной работы по изучаемой теме.
  6. III. Задания для самостоятельной работы по изучаемой теме.
  7. III. Задания для самостоятельной работы по изучаемой теме.
  8. III. Задания для самостоятельной работы по изучаемой теме.
  9. IV. Итог занятия.
  10. V. ЗАЩИТА ДИПЛОМНОЙ РАБОТЫ
  11. XI. Проанализируйте психокоррекционные возможности следующего психотехнического задания'.
  12. XI. Тестовые задания

Задание выполняется в личной рабочей тетради студента,аккуратно с необходимыми пояснениями и расчётами. Схемы должны быть выполнены в соответствии с требованиями стандартов.

К защите студент должен подготовить ответы на вопросы темы:

- понятия об измерении неэлектрических величин электрическими методами;

-основные характеристики первичных преобразователей?

-резистивные первичные преобразователи?

-электромагнитные первичные преобразователи?

-магнитоупругие первичные преобразователи?

-электростатические первичные преобразователи?

-тепловые первичные преобразователи(терморезисторы и термоэлектрические)?

-фотоэлектрические первичные преобразователи?

 

Задание 7

«Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы».

Методические указания на практическое занятие

Занятие проводится под руководством преподавателя в учебной лаборатории или компьютерном классе.

а. Подготовка к практическому занятию

При подготовке к практическому занятию студент используя рекомендованную на лекции литературу, конспекты лекций, результаты лабораторных работ, возможности сети Интернет и другие доступные источники должен:

1.изучить:

- полупроводниковые диоды;

- биполярные транзисторы;

- полевые транзисторы;

- тиристоры;

- полупроводниковые фотоэлектрические приборы;

- интегральные микросхемы;

- оптоэлектронные приборы;

- полупроводниковые и жидкокристаллические индикаторы;

- систему обозначения полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

б. Вопросы рекомендуемые студентам для изучения на практического занятия:

На практическом занятии студент должен в рабочей тетради конспективно охарактеризовать: - свойства p-n -перехода; - вольтамперные характеристики точечного и плоскостного диода средней мощности; - выпрямительные диод; - полупроводниковые стабилитроны; - варикапы; - структуры и условнографические обозначения биполярных транзисторов; - движение носителей заряда в транзисторе типа n-p-n; - h-параметры; - полевые транзисторы; - структура МДП-транзистора с индуцированным каналом; - выходные и передаточная ВАХ МДП-транзистора с индуцированным каналом; - структуру и двухтранзисторная схема замещения, вольтамперные характеристики и условно-графическое триодного тиристора; - фотоэлектрические приборы; - фоторезисторы; - фотодиоды; - фототранзисторы; - фототиристоры; - интегральные микросхемы; - гибридные интегральные микросхемы; - полупроводниковые интегральные микросхемы; - линейно-импульсные и логические интегральные микросхемы; - оптроны; - фотодиодный оптрон; - фототранзисторный оптрон; - фоторезисторный оптрон; - фототиристорный оптрон; - полупроводниковые индикаторы; - жидкокристаллические индикаторы; - система обозначений полупроводниковых приборов и интегральных микросхем


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)