Способы задания напряжения смещения

Один из способов задания напряжения смещения иллюстрируется на рис. 8.4.

Рис. 8.4. Рис. 8.5.

Падение напряжения на диодах D1 и D2 составляет примерно U1=U2=0.7 В. При этом напряжении через транзисторы Т1 и Т2 течет небольшой ток покоя. Для повышения входного сопротивления схемы диоды можно заменить эмиттерными переходами.

Схема, с помощью которой можно в широких пределах изменять напряжение смещения и его температурный коэффициент, изображена на рис. 8.5. Транзистор Т3 охвачен ООС (отрицательная обратная связь), реализованной с помощью делителя напряжения R_t, R3. Напряжение коллектор-эмиттер при пренебрежимо малом токе базы устанавливается равным:

. (8.1)

Для получения требуемого температурного коэффициента в качестве Rt применяют терморезистор с отрицательным температурным коэффициентом, который помещают на радиаторе транзистора. С помощью таких мер можно добиться практической независимости тока покоя от температуры даже при температуре корпуса выходного транзистора ниже температуры его перехода.

В описанных схемах задания напряжения смещения с помощью диодов ток базы выходных транзисторов должен быть задан с помощью источника постоянного тока. Величина постоянного тока I1 должна быть больше максимального базового тока транзисторов Т1 и Т2, чтобы диоды D1 и D2 (и соответственно транзисторы Т3 и Т4) при максимальном входном сигнале не запирались. По этой причине не следует заменять источники постоянного тока резисторами, так как ток в этом случае будет убывать при возрастании входного сигнала.

Поиск по сайту: