АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Прямое и обратное включение

Читайте также:
  1. АСИНКЛИТИЧЕСКИЕ ВСТАВЛЕНИЯ ГОЛОВКИ. ВЫСОКОЕ ПРЯМОЕ И НИЗКОЕ ПОПЕРЕЧНОЕ СТОЯНИЕ СТРЕЛОВИДНОГО ШВА.
  2. Включение выключателя
  3. Включение кода
  4. Включение Правобережья в состав России.
  5. Максимально допустимое обратное напряжение
  6. Наши болезни, есть прямое следствие наших пороков.
  7. Непрямое дезаминирование , транс-дезаминирование, химизм, биологическая роль
  8. Прямое действие - это непосредственное отстаивание трудящимися своих интересов, не прибегая к посредничеству со стороны государства, судов, политиков и официальных профсоюзов
  9. Прямое и переносное значение слов. Основные виды переноса.
  10. Прямое и переносное значение слова. Типы переносных значений слов
  11. Прямое подтверждение

При прямом (внешнее электрическое поле частично компенсирует контактное поле) и обратном (внешнее электрическое поле усугубляет действие внутреннего поля) включении p-n перехода существенным образом регулируется высота потенциального барьера, соответственно рис. 13.2 и 13.3.

 

 

Рис.13.2 Рис.13.3

 

Анализ, выполненный аналогично нашему рассмотрению диода Шоттки (лекция № 12), показал, что внешний вид основных характеристик диода Шоттки и p-n перехода совпадает. Для p-n перехода имеем

, (13.2)

а

. (13.3)

Толщина слоя объемного заряда d, как и в случае диода Шоттки, зависит от внешнего приложенного напряжения V и возрастает с увеличением контактной разности потенциалов и уменьшением концентрации основных носителей заряда в полупроводниках. Знак (+) в выражении (13.2) соответствует прямому включению p-n перехода, в соотношении (13.3) - обратному.

Барьерную емкость p-n перехода можно определить по формуле плоского конденсатора

, (13.4)

где S - площадь перехода, а d - подставляется из выражения (13.3). Таким образом, емкость p-n перехода нелинейно зависит от приложенного напряжения V(обычно прикладывают “обратные” напряжения), что используется для построения варакторов - важных элементов параметрических усилителей, которые обладают малым шумом и применяются в очень чувствительных приемниках, например, для спутниковых линий связи, радиотелескопов и т.д.

Вольт-фарадные характеристики используют и для определения Vk. Зависимость сопротивления электронно-дырочного перехода от V позволяет использовать p-n переход также в качестве регулируемого сопротивления (варистора).

Ток Js в выражении для ВАХ p-n перехода (13.2) является суммой токов неосновных носителей Jns и Jps:

Js=Jns + Jps. (13.5)

 

Влияние основных параметров перехода на ток Js рассмотрим на практических занятиях, там же введем понятие диффузионной длины. Заметим только, что с увеличением температуры обратный ток Js сильно растет и выпрямляющие свойства p-n перехода постепенно пропадают.

Тем не менее при обычных температурах диоды, изготовленные на основе p-n переходов, являются прекрасными твердотельными выпрямителями, коэффициент выпрямления у которых достигает сотен тысяч.

Импульсные и высокочастотные p-n переходы имеют быстродействие приблизительно ~10-9 с, рабочие частоты до 109 Гц.

Вид ВАХ p-n перехода зависит от концентрации носителей заряда, поэтому такие контакты широко используют для изготовления датчиков температуры, давления, света, ионизирующих излучений и других воздействий, влияющих на контактную разность потенциалов и ток Js диода.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)