АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Характеристики фотодиода

Читайте также:
  1. V. Расчет и построение скоростной характеристики ТЭД, отнесенной к ободу колеса электровоза.
  2. VI. Расчет и построение электротяговой характеристики ТЭД, отнесенной к ободу колеса электровоза.
  3. VII. Расчет и построение тяговой характеристики электровоза.
  4. Автомобильный транспорт, его основные характеристики и показатели.
  5. Акустические характеристики звукопоглощающих материалов
  6. Акустическое поле и его характеристики
  7. Алюминотермическое восстановление оксидов металлов. Характеристики алюминотермического процесса.
  8. В виде уравнения характеристики крупности.
  9. Важнейшие характеристики уверенного поведения
  10. Варистори та їх основні характеристики.
  11. Вибір параметрів і технічні характеристики бурових вишок
  12. Виды и основные характеристики каналов распределения

Энергетические характеристики фотодиода (рис. 4, б) линейны в достаточно широком интервале изменений светового потока. Рост фототока с увеличением обратного напряжения объясняется расширением запирающего слоя и соответственным уменьшением ширины базы, в результате чего меньшая часть неосновных носителей рекомбинирует в толще базы в процессе диффузии к р-п переходу.

Относительные спектральные характеристики германиевого и кремниевого фотодиодов показаны на рис., в). Образование пар зарядов при облучении фотодиодов обусловлено в основном собственным поглощением. Поэтому максимум спектральной характеристики приборов, выполненных из кремния, обладающего более широкой запрещенной зоной ()' соответствует меньшим значениям λ по сравнению с приборами на основе германия (𝜟Eз w=0,72 эВ). По этой же причине и длинноволновая граница для германиевых приборов лежит в области более длинных волн.

Уменьшение чувствительности в области коротких волн объясняется следующими причинами. В этой области коэффициент достаточно велик ( 105 см~1), фотоны поглощаются в основном вблизи наружной поверхности базы, где вероятность рекомбинации на поверхностных центрах весьма велика, и число неосновных носителей, приходящих к р-п переходу, уменьшается.

Частотная характеристика фотодиода (рис. 4, г) отображает реакцию прибора на модулированный по яркости световой поток. По оси абсцисс отложена частота модуляции яркости потока Ф. Уменьшение фототока с увеличением частоты свидетельствует об инерционных свойствах фотодиода.

Инерционность фотодиодов обусловлена рядом факторов, среди которых важную роль играют время заряда емкости перехода, а также время диффузии носителей к переходу и время прохождения носителей через область объемного заряда в переходе. Если период модулирующих световой поток колебаний сравним с суммарным временем движения носителей, то процессы изменения тока в приборе как бы не успевают за быстрыми изменениями интенсивности светового потока. В результате с ростом частоты амплитуда переменной составляющей тока в нагрузке фотодиода уменьшается и увеличивается фазовый сдвиг между модулирующим световой поток колебанием и переменной составляющей тока в приборе. Можно показать, что при амплитуда тока уменьшается в раз по сравнению с ее значением на низкой частоте модуляции, а фазовый сдвиг превышает 70°.

Параметры фотодиодов. К числу параметров фотодиодов относятся прежде всего электрические величины, определяющие его режим работы: номинальное рабочее напряжение и максимально допустимое обратное напряжение , величина которого гарантирует работу прибора вне области пробоя перехода. В качестве параметров фотодиодов используются те же величины, что и для фоторезисторов, так как фотодиоды, так же как и фоторезисторы, служат для формирования электрических сигналов под действием облучающего света и для обнаружения и регистрации световых сигналов. К этим параметрам относятся: чувствительность s, граничная частота гр, пороговый поток и обнаружительная способность D.

 

Задачей данной лабораторной работы является определение диапазона линейности энергетической характеристики исследуемого фотодиода при двух схемах включения: фотогальванической схеме и схеме фотодиода (рис. 6).

 

 


1 | 2 | 3 | 4 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)