Фильтры на ПАВ

Типичное ПАВ устройство, в основе которого применяется встречно-гребенчатый преобразователь, используемое в качестве полосового фильтра. Поверхностная волна генерируется через источник переменного напряжения через проводники, изготовленные печатным методом. При этом электрическая энергия преобразуется в механическую. Двигаясь по поверхности механическая высокочастотная волна меняется. С другой стороны приёмные дорожки снимают сигнал, при этом происходит обратное преобразование механической энергии в переменный электрический ток, через нагрузочный резистор.

Принцип действия ФПАВ основан на генерировании и распространении и приеме ПАВ в звукопроводе с преобразователями и отражателями, размеры и геометрия которых подобраны так, чтобы достигалась необходимая частотная характеристика.

Для возбуждения и приема ПАВ обычно используются встречно-штыревые преобразователи, которые представляют собой периодическую структуру металлических электродов, нанесенных на пьезоэлектрический кристалл. В качестве звукопроводов применяют пьезоэлектрические монокристаллы кварца, ниобата лития, германата висмута и др.

Фильтры на ПАВ отличаются простотой устройства, технологичностью, воспроизводимостью характеристик, возможностью массового производства. Двумерный характер ПАВ позволяет создавать Ф с довольно сложными частотными характеристиками. Типичные внутренние потери в пределах полосы пропускания для фильтров на ПАВ - дБ и доли дБ, фазовые ошибки - несколько градусов, а подавление сигнала вне полосы и паразитного сигнала составляет около 60 дБ.

Параметры:

· Верхняя fв и нижняя fн частота

· Частота среза или средняя частота f₀

· Полоса частот дf=fв-fн

· Коэффициент усиления на f₀ (K₀)

· Коэффициент усиления в пределах дf (Kп) Kп= K₀-K_д

· Кд коэффициент усиления на краю полосы частот

· Порядок фильтра (количество звеньев из которых состоит данный фильтр)

29. Магниторезистор - это электронный компонент, действие которого основано на изменении электрического сопротивления полупроводника (или металла) при воздействии на него магнитного поля.

Выделяются две большие группы магниторезисторов, которые условно можно разделить на «монолитные» и «пленочные».

«Монолитные» магниторезисторы. Принцип действия монолитных магниторезисторов основан на эффекте Гаусса, кото­рый характеризуется возрастанием сопротивления проводника (или полупровод­ника) при помещении его в магнитное поле.

Магниторезистор представляет собой подложку с размещенным на ней магниточувствительным элементом (МЧЭ). Подложка обеспечивает механическую прочность прибора. Элемент приклеен к подложке и защищен снаружи слоем лака. МЧЭ может размещаться в оригинальном или стандартном корпусе и снабжаться ферритовым концентратором магнитного поля или «смещающим» постоянным микромагнитом.

«Монолитные» магниточувствительные элементы изготавливаются из полупроводниковых материалов, обладающих высокой подвижностью носителей заряда. К таким материалам относятся антимонид индия (InSb) и его соединения арсенид индия (InAs) и др.

В зависимости от назначения прибора МЧЭ могут иметь различную форму. Наиболее известны МЧЭ прямоугольной формы и имеющие вид меандра

ПАРАМЕТРЫ

-Основными характеристиками магниторезисторов являются начальное
сопротивление R0, которое лежит в пределах от долей ома до десятков килоом, и магниторезистивная чувствительность SB=dR/dB.

Обычно для характеристики магниторезистивных преобразователей используют зависимости ∆RB/R0=F(B), где ∆RB=RB-R0.

-ТКС

-рабочее напряжение

- максимально допустимая температура прибора и температура окружающей среды;

-значение мощности, которую может рассеять магниторезистор Рмакс;

- значение предельно допустимого тока Iмакс;

Применение. Магниторезисторы применяются в качестве чувствительных элементов в функционально-ориентированных магнитных датчиках. Их используют в бесконтактной клавиатуре ПЭВМ, бесконтактных переменных резисторах, вентильных электродвигателях, электронных.

Поиск по сайту: