АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Теоретичні відомості. Фотоелектрорушійна сила (фотоерс) являє собою різницю потенціалів, що виникає в р-n переході під дією опромінення електромагнітними хвилями

Читайте также:
  1. Вправа 206. Допишіть відсутні анкетні відомості.
  2. Вправа 217. Допишіть відсутні анкетні відомості.
  3. Загальні відомості.
  4. Загальні теоретичні положення
  5. ІІІ. Теоретичні відомості.
  6. Короткі теоретичні відомості
  7. Короткі теоретичні відомості
  8. Короткі теоретичні відомості
  9. Короткі теоретичні відомості
  10. Короткі теоретичні відомості
  11. Короткі теоретичні відомості
  12. Короткі теоретичні відомості

Фотоелектрорушійна сила (фотоерс) являє собою різницю потенціалів, що виникає в р-n переході під дією опромінення електромагнітними хвилями.

Так званий р-n перехід виникає в перехідній області напівпровідника з різними типами провідності. На рис. 1. зліва від межі поділу розміщено область напівпровідника р - типу, а праворуч показано напівпровідник n - типу.

 

Виникнення р-n переходу:

 
 

 

 


Рис. 1.

 

Різниця концентрації однотипних вільних носіїв електричного заряду в n - і р - областях напівпровідника призводить до дифузії дірок з р - області в n - область і дифузії електронів у протилежному напрямку. Внаслідок цього на межі р - і n - області виникає контактна різниця потенціалів: електрони, що вийшли з n - області, залишають в цій області нескомпенсований позитивний заряд, а дірки, що вийшли з р - області неврівноважений негативний заряд. Дифузія змінює концентрацію носіїв до тих пір, доки не встановиться динамічна рівновага: потік носіїв внаслідок дифузії врівноважується потоком носіїв у зворотному напрямку під дією різниці потенціалів, що виникла на межі р-n переходу.

При опроміненні переходу в р - області виникають додаткові електронно-діркові пари. Вільні електрони з цих пар дифундують до р-n переходу і під дією контактного поля переводяться в n - область. Однак дірки подолати потенціальний бар’єр не в змозі і залишаються в р - області. Тому р- область заряджується позитивно, а n - область негативно, і в р-n переході виникає додаткова різниця потенціалів, її називають фотоелектрорушійною силою (фотоерс). Величина фотоерс визначається природою напівпровідникових матеріалів, що створюють р-n перехід, і залежить від світлового потоку.

Світловий потік Ф від точкового джерела визначається виразом:

 

, (1)

 

де j - сила світла джерела, r - відстань від джерела, σ - площа освітлюваної поверхні.

Отже, залежність величини фотоерс від світлового потоку можна вивчати, визначаючи її як функцію від величини 1/r2

Явище виникнення фотоерс закладено в основу дії вентильного фотоелемента, в якому світлова енергія безпосередньо перетворюється в електричну.

Основною характеристикою вентильного фотоелемента є його світлова характеристика, тобто залежність величини фотоструму або напруги на його затискачах від величини світлового потоку в різних режимах роботи фотоелемента.

Вентильний фотоефект є одним з видів внутрішнього фотоефекту. Варто відрізняти внутрішній фотоефект від зовнішнього, який полягає у емітуванні електронів з поверхні речовини під дією світла.

 

3. Контрольні запитання.

1. Як і чому виникає внутрішня контактна різниця потенціалів?

2. Що являє собою р-n перехід?

3. Що називається фотоерс і як вона виникає?

4. Від чого залежить величина фотоерс?

5. Що закладено в основу конструкції вентильних фотоелементів?

6. Що називається світловою характеристикою вентильного фотоелемента?

7. В якому режимі знімається світлова характеристика в даній роботі?

8. Яким методом визначається величина фотоерс в даній роботі?

9. Який графік потрібно побудувати за результатами вимірювання в даній роботі?


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)