ЧЕТВЕРТОГО ЗМІСТОВОГО МОДУЛЯ

Необхідно зрозуміти:

1. Реальні кристали завжди мають порушення структури. Існують точкові дефекти (вакансії, дефекти заміщення і впровадження) і лінійні дефекти (крайові і гвинтові).

2. Кристали – це тверді тіла, які мають тривимірну атомну структуру.

3. Реальні кристали завжди мають порушення структури.

4. Електричний опір металів зумовлено розсіюванням електронів на фононах.

5. Теплопровідність металів – електронна, діелектриків – фононна.

6. Дискретні енергетичні рівні ізольованого атома перетворюються у кристалах на систему дозволених і недозволених енергетичних зон. Провідники, діелектрики і напівпровідники відрізняються структурою зон валентних, провідності і недозволених зон.

7. Провідність напівпровідників істотно залежить не тільки від температури, а й від домішок та опромінення. Буває електронна та діркова провідність.

Треба вміти:

1. Пояснити, що таке дислокації, електронний газ, фонони, енергія Фермі, надпровідність, енергетичні зони.

2. Дати визначення: елементарної кристалічної гратки, кристалі­чної сингонії, точкових дефектів, вакансій.

Слід запам'ятати:

1. За характером сил взаємодії кристали поділяють на іонні, атомні, молекулярні і металеві.

2. За типом симетрії визначають 230 груп кристалів, які об'єднано в 7 кристалічних сингоній.

3. Мікрочастинки, з яких складаються кристали, підпорядковані квантовим закономірностям.

4. Властивості кристалів визначаються електронами провідності (електронного газу) і пружними хвилями (фононами).

5. Формули:

– розподіл Бозе-Ейнштейна;

– розподіл Фермі-Дірака;

– теплоємність кристала;

– питомий електричний опір металу;

– закон Відемана-Франца.

Питання для самоконтролю четвертого змістовного модуля

Банк завдань до четвертого змістового модуля

Поиск по сайту: