АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Вольтамперная характеристика

Читайте также:
  1. A. Характеристика нагрузки на организм при работе, которая требует мышечных усилий и энергетического обеспечения
  2. I. Общая характеристика договора продажи недвижимости
  3. II. Загальна характеристика ХНАДУ
  4. S: Установить соответствие между типами общества и их характеристиками.
  5. А. Общая характеристика вены
  6. Аварии на химически опасных объектах, их медико-тактическая характеристика.
  7. Агальна характеристика конституційного права України.
  8. Адаптація. Характеристика адаптацій. Основні концепції адаптаційних пристосувань
  9. Административное правонарушение и преступление: сравнительная характеристика.
  10. Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ)
  11. Артерии. Морфо-функциональная характеристика. Классификация, развитие, строение, функция артерий. Взаимосвязь структуры артерий и гемодинамических условий. Возрастные изменения.
  12. Б. Серое вещество: общая характеристика

 

Полупроводниковым диодом называют прибор, состоящий из одного р - n -перехода. Переходный слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность p -типа, а другая n -типа, называется р - n -переходом. Так как кон­центрация электронов в n -области больше, чем в р -области, электроны диффундируют из n -области в р -область. Аналогичным образом дырки диффундируют из р -области в n -область. По мере диффузии пограничный слой р -области обедняется дырками и в нем возникает отрицательный объемный заряд за счет иони­зированных атомов акцепторной примеси. Пограничный слой n -области обедняется электронами и в нем возникает положи­тельный объемный заряд за счет ионизированных атомов доно­ров. Область р - n -перехода, имеющая пониженную концентрацию основных носителей, называется запирающим слоем. За счет по­ложительного объемного заряда в пограничном слое n -области электрический потенциал этой области становится выше, чем по­тенциал р -области.

Между п и р-областями возникает разность потенциалов, ко­торая называется контактной. Поскольку электрическое поле р - n -перехода препятствует диффузии основных носителей в со­седнюю область, то считают, что между р и n -областями уста­новился потенциальный барьер.

При прямом включении р - n -перехода, когда «+» источника питания подается на область р, а «-» — на область п, потенци­альный барьер уменьшается. Вследствие этого, диффузия основных носителей через р - n -переход значительно облегчается иво внешней цепи возникает ток. При обратном включении р - n -перехода, когда «+» источника подается на область п, а «-» — на область р, потенциальный барьер возрастает. В этом случае переход основных носителей из одной области в другую затрудняется и уменьшается ток во внешней цепи. Зависимость тока, протекающего через р - n -переход, от приложенного к нему напряжения, называется вольтамперной характеристикой (ВАХ). Вольтамперная характеристика р - n -перехода (полупроводникового диода) представлена на рис. 1.

 

Рис. 1. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода

 

К основным параметрам полупроводникового диода относятся:

- дифференциальное сопротивление

;

- статическое сопротивление (сопротивление постоянному току)

.

Эти параметры можно определить на вольтамперной характеристике диода (рис. 1) следующим образом:

,

,

где и - максимальные значения напряжения и тока.

 

Выражение ВАХ полупроводникового диода определяется плотностями носителей тока в р-п переходе и записывается для комнатных условий в удобной для инженерных расчетов форме [14, 15]:

U (I) = Iо[ (exp 38,6U) - 1], (1)

 

где Iо – обратный ток насыщения, обусловленный неосновными носителями тока.

 

Прямая ветвь ВАХ (рис.1) определяет основное свойство р-п перехода в диоде – его одностороннюю электропроводность, т. е.его выпрямительные свойства, что широко используется в выпрямителях переменного напряжения в постоянный разнообразной силовой и радиоэлектронной аппаратуры.

 

Выпрямитель – это устройство, предназначенное для преобразо­вания переменного напряжения в постоянное, основную функцию в которых выполняют выпрямительные диоды. Простейшие схемы выпрямителей, применяемых в устройствах ИИТ и электроники, рассмотрены в [16].

 

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)