Рассмотрим основные проекты в России

Бизнес-кейс: Стратегия компании «Т-Платформы» на российском рынке суперкомпьютеров

Производство микроэлектронных компонентов в России

Оптимистичный график сравнительного преимущества в годах у США и Китая перед Россией в отрасли микроэлектроники (Синяя линия — США, красная — Китай, Россия - 0).

В гонке за удовлетворением спроса на крупносерийную высокотехнологичную продукцию денег наша страна серьезно отстала. Однако промышленность с недавнего времени может производить критически - важную продукцию (технологии 90 нм более чем достаточно для промышленной и военной/космической электроники).

Вместе с тем Китай давно перестал быть технологически отсталой страной, они уже намного лет обогнали Россию в сфере технологического развития в микроэлектронике. На данный момент у них запущено производство 45нм, и есть лицензия на 32нм.

Рассмотрим основные проекты в России.

НИИСИ РАН

В НИИСИ РАН («Курчатнике») установлено супер-мелкосерийное производство, степпер - ASML PAS 5500/250С с разрешением 350нм. Объемы производства – менее 10 пластин в день. Здесь выпускается только военная продукция. (Пример - военная микросхема «Комдив-64»).

Белорусская компания «Интеграл»

Долгое время Белорусский Интеграл обладал технологией 800нм, но несколько лет назад они смогли запустить 350нм производство на пластинах 200 мм, с объемом производства 1000 пластин в месяц. Также здесь есть своё производство «чистых» пластин диаметром 200мм для 350нм линейки.

На новой линейке компания занимается только военными микросхемами, а вот на устаревшем крупносерийном производстве (150mm/800nm — 10 тыс пл/мес, 100mm/1.5µm — 30 тыс пл/мес, 100mm/2µm — 15 тыс пл/мес) производят дискретные компоненты и простые микросхемы на экспорт.

Ангстрем-Т

Проект основывается на корпусе недостроенного завода, оставшегося еще с советских времен. Корпус был построен добротно, и удовлетворял современным требованиям технологии 130 нм.

Оборудование для производства было куплено и снято с Дрезденского завода AMD (130 нм, медная металлизация в 9 слоев, 14000 пластин в месяц). Проект финансировался практически полностью за счет кредитной линии ВЭБ с лимитом 815 млн евро.

В 2008-м году ВЭБ оплатил AMD за оборудование ~182.5 млн евро, ~120 млн евро за лицензию на технологию, ~10млн евро - компании Meissner & Wurst за этап А проектирования завода. Однако собственником оборудования стал не Ангстрем-Т, а кипрская офшорная компания Runica. Оборудование в Россию также не попало, а осталось на складах в Нидерландах и Дрездене.

Затем финансирование было остановлено, оборудование так и осталось за границей (за хранение на спец.складах. Таким образом, российскими участниками проекта была потрачена минимальная возможная сумма, необходимая чтобы рассчитаться с AMD – и на этом проект остановился.

В 2012-м году финансирование было возобновлено, а в конце октября 2012 года — Ангстрем-Т был «официально» куплен Леонидом Рейманом. Одновременно, лицензирована технология 90 нм у IBM, которая потребует приобретения дополнительного оборудования. Строительство возобновлено, и запуск производства планируется на начало 2014 года. Безусловно, переход на следующую технологию позволит несколько компенсировать лишние 5 лет, которые оборудование пролежало на складе. Однако стоит отметить, что до 65 нм таким образом не «заапгрейдить» - 65 нм технология обычно требует 300 мм пластин из экономических соображений.

Компания «Микрон».

Поиск по сайту: