АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

ДЕФЕКТЫ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ

Читайте также:
  1. Вопрос№28 Механические свойства твердых тел. Кристаллы, аморфные вещества
  2. Гистологическое строение, химический сосите и функции твердых тканей зуба
  3. Глава XIX. О телах Дьяволов
  4. Дефекты заготовок
  5. Дефекты нёбных звуков к,кь,г,гь,х,хь,й.
  6. Дефекты профиля по геометрическим размерам
  7. Дефекты профиля по длине
  8. Дефекты сыров
  9. Диффузионные процессы в твердых телах
  10. Изменения в телах нейронов после перерезки нерва
  11. Классификация сплавов твердых растворов.

Любые отклонения от периодической структуры кристалла (нарушения правильного расположения атомов или ионов в узлах кристаллической решетки) можно рассматривать как появление дефектов.

В зависимости от их геометрии дефекты подразделяются на точечные (нульмерные), линейные (одномерные), поверхностные (двумерные) и объемные (трехмерные).

Типичными представителями точечных дефектов являются вакансии, междоузельные атомы, примесные атомы внедрения и замещения (в разбавленных твердых телах), центры окраски.

Вакансия – простейший дефект (обозначается “””) – узел решетки, в котором отсутствует атом или ион. В ионных кристаллах дефекты Шоттки обычно образуются в виде пары из двух вакансий противоположного заряда ввиду необходимости соблюдения требования электронейтральности.

В щелочногалоидных кристаллах образованием вакансий довольно просто управлять, в частности, введением двухзарядных ионов. Например, если в процессе выращивания кристалла KCl ввести CaCl2, то ион Ca+2, располагаясь в узле решетки заместит один катион (K+), на два аниона Cl-. В итоге образуется одна катионная вакансия.

Один из путей образования вакансий в простых веществах – испарение атомов с поверхности с последующим переходом на их места атомов из низлежащих слоев. Этот процесс можно рассматривать как движение вакансий от поверхности вглубь кристалла. В итоге формируются структуры разрыхления.

В простейшем случае в состоянии теплового равновесия вероятность образования вакансий (Р) определяется энергией Е , необходимой для перемещения атома из узла решетки внутри кристалла в узел на поверхности:

. (7.1)

Тогда равновесная концентрация вакансий приближенно (при условии << N) равна:

. (7.2)

Оценка по этому уравнению в случае Е ~ 1 эВ, Т ~ 1000 К дает значение ~ 10-5, то есть ориентировочно около 1017 вакансий на 1 см3 кристалла.

Наряду с дефектами Шоттки к важнейшим точечным дефектам относятся дефекты Френкеля, представляющие собой комбинацию межузельного атома и вакансии. Как и дефекты Шоттки, эти дефекты возникают при нагревании, а также при облучении потоком ядерных частиц (например, потоком быстрых электронов). Равновесная концентрация СFr дефектов Френкеля определяется температурой, исходной концентрацией узлов (Сi) и междоузельных положений (), а также характерными частотами колебаний атомов решетки при наличии этих дефектов (n) и при их отсутствии (n ):

. (7.3)

В этом уравнении энергия активации DЕFr необходима для смещения атома из узла в междоузлие.

Точечные дефекты, поглощающие видимый свет в спектральном диапазоне, в котором отсутствует собственное поглощение кристалла, называют центрами окраски.

Первыми обнаруженными центрами окраски были F-центры, представляющие собой анионные вакансии, захватившие электрон. Затем были обнаружены и другие виды центров окраски: F- или F - анионная вакансия, захватившая два электрона; F2 (или М-центр) – электрон, захваченный двойной анионной вакансией; R-центр – три соседних F-центра в щелочногалоидных кристаллах и др.

Наряду с электронными, известны дырочные центры окраски, например, Vk – “ автолокализованная “ дырка в ионном кристалле, а также центры, связанные с внедрением водорода (U-центры), частиц коллоидного металла (X-центры) и др.

Как правило, центры окраски образуются в результате действия актиничного (с энергией квантов, превышающей ширину запрещенной зоны кристалла) электромагнитного (УФ-, рентгеновское, g) либо ионизирующего (a -, b, нейтроны) излучения. Типичный пример образования F-центра в кристалле NaCl включает генерацию электронно-дырочной пары при действии g-излучения в вакууме, захват дырки анионом Cl- с образованием атомарного Cl, уход которого из решетки вызывает образование анионной вакансии, и последующим захватом электрона этой вакансией.

Достаточно легко образуются F-центры в ZnO, MgO, TiO2, WO3 при УФ облучении в условиях вакуума. При нагревании, а иногда и при действии кислорода воздуха при комнатной температуре, они могут разрушаться, и кристалл обесцвечивается. В некоторых случаях, процессы фотоиндуцированного окрашивания и обесцвечивания являются хорошо обратимыми, что составляет основу использования так называемых фотохромных материалов, обратимо темнеющих при действии света.

 

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)