АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Теоретические сведения. Полупроводниковым диодом называют прибор, состоящий из одного р-n-перехода

Читайте также:
  1. III. ИСТОРИКО-ЛИТЕРАТУРНЫЕ И ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ПОНЯТИЯ
  2. WWW и Интернет. Основные сведения об интернете. Сервисы интернета.
  3. А) Теоретические основы термической деаэрации
  4. А. Общие сведения
  5. А. Общие сведения
  6. А. Общие сведения
  7. А. Общие сведения
  8. А. Общие сведения
  9. Вопрос №19 Экономическая система: сущность, элементы, теоретические концепции.
  10. Вопрос. Локальные и глобальные сети ЭВМ. Основы компьютерных коммуникаций. Общие сведения об internet. Основные службы internet. Электронная почта.
  11. ГЛАВА 1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ
  12. Глава. Теоретические аспекты семейного воспитания.

 

Полупроводниковым диодом называют прибор, состоящий из одного р - n -перехода. Переходный слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность p -типа, а другая n -типа, называется р - n -переходом. Так как кон­центрация электронов в n -области больше, чем в р -области, электроны диффундируют из n -области в р -область. Аналогичным образом дырки диффундируют из р -области в n -область. По мере диффузии пограничный слой р -области обедняется дырками и в нем возникает отрицательный объемный заряд за счет иони­зированных атомов акцепторной примеси. Пограничный слой n -области обедняется электронами и в нем возникает положи­тельный объемный заряд за счет ионизированных атомов доно­ров. Область р - n -перехода, имеющая пониженную концентрацию основных носителей, называется запирающим слоем. За счет по­ложительного объемного заряда в пограничном слое n -области электрический потенциал этой области становится выше, чем по­тенциал р -области.

Между п и р-областями возникает разность потенциалов, ко­торая называется контактной. Поскольку электрическое поле р - n -перехода препятствует диффузии основных носителей в со­седнюю область, то считают, что между р и n -областями уста­новился потенциальный барьер.

При прямом включении р - n -перехода, когда «+» источника питания подается на область р, а «-» — на область п, потенци­альный барьер уменьшается. Вследствие этого, диффузия основных носителей через р - n -переход значительно облегчается иво внешней цепи возникает ток. При обратном включении р - n -перехода, когда «+» источника подается на область п, а «-» — на область р, потенциальный барьер возрастает. В этом случае переход основных носителей из одной области в другую затрудняется и уменьшается ток во внешней цепи. Зависимость тока, протекающего через р - n -переход, от приложенного к нему напряжения, называется вольтамперной характеристикой (ВАХ). Вольтамперная характеристика р - n -перехода (полупроводникового диода) представлена на рис. 1.

 

Рис. 1

 

К основным параметрам полупроводникового диода относятся:

- дифференциальное сопротивление

;

- статическое сопротивление (сопротивление постоянному току)

.

Эти параметры можно определять непосредственно из ВАХ (рис. 1).

Выпрямитель – это устройство, предназначенное для преобразо­вания переменного напряжения в постоянное.

Схема однополупериодного однотактного выпрямителя приведена на рис. 2, временные диаграммы - на рис. 3. Подробное описание работы схемы изложено в стендовом варианте данной лабораторной работы № 2.

 

Рис. 2. Схема однополупериодного выпрямителя

 

Наличие реактивного элемента или источника электродвижущей силы (э.д.с.)на стороне постоянного тока существенно изменяет режим работы выпрямителя. Электрическая схема выпрямителя с реактивной реакцией (активно-индуктивной нагрузкой) приведена на рис. 4, а временные диа-граммы ее работы – на рис. 5.

Рис. 3. Временные диаграммы однополупериодного

выпрямителя

 

 

Рис. 4. Однополупериодный выпрямитель

с индуктивной реакцией

 

 

Рис. 5. Временные диаграммы выпрямителя

с индуктивной реакцией

 

Подробное описание работы данной схемы, также и последующих схем, изложено в стендовом варианте лабораторной работы № 2.

 

Схема однофазного двухтактного выпрямителя (схема Греца) приведена на рис. 6, временные диаграммы – на рис. 7. В инженерной практике ее называют чаще двухполупериодным мостовым выпрямителем [20].

 

Рис. 6. Схема двухполупериодного мостового выпрямителя

 

 

Рис. 7. Временные диаграммы схемы

мостового выпрямителя

 

В работе исследуется схема Греца с активно-емкостной нагрузкой (парал-лельно нагрузочному резистору подключен конденсатор), временные диа-граммы этой схемы приведены на рис. 8, а описание работы также смотрите в стендовом варианте лабораторной работы.

 

 

Рис. 8. Временные диаграммы схемы Греца

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)