Транзисторы. Транзисторы имеют трехслойную структуру «р-n» перехода

Транзисторы имеют трехслойную структуру «р-n» перехода. Применяются два типа транзисторов:

1. «р-n-р», когда две крайние области имеют дырочную проводимость. Один такой вывод

называется эмиттер, а другой – коллектор. Средняя зона имеет электронную проводи-

мость и называется базой. Стрелка показывает, что «+» подается на эмиттер, а «-» на

коллектор и ток идет от эмиттера на коллектор.

2. «n-р-n», когда две крайние области имеют электронную проводимость и также

обозначаются. Средняя зона имеет дырочную проводимость и называется базой.

«+» подается на коллектор, а «-» на эмиттер и ток идет от коллектора к эмиттеру.

Внутри транзисторов образуется два «р-n» перехода. При подаче прямого напряжения между эмиттером и коллектором и при отсутствии напряжения на базе - транзистор закрыт одним «р-n» переходом и через транзистор проходит небольшой обратный ток закрытого «р-n» перехода. При подаче прямого напряжения между эмиттером и базой, закрытый «р-n» переход ликвидируется и через транзистор проходит прямой ток до тех пор, пока будет подаваться прямое напряжение на базу. При снятии напряжения базы – транзистор закроется.

Транзисторы применяются как:

Безконтакторный переключатель или блокировка, то есть подает или снимает напряжение в цепи.

Для усиления сигналов - на базу поступает сигнал малой величины, а после открытия транзистора, между эмиттером и коллектором может проходить значительный ток.

Поиск по сайту: