АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Измерение подвижности и концентрации подвижности носителей заряда

Читайте также:
  1. C. Измерение шума. Шумомеры
  2. I. Вычисление и измерение индуктивности соленоидов
  3. III. Измерение магнитной проницаемости феррита и железа.
  4. А. Измерение уровня звукового давления на рабочем месте
  5. В эксперименте производили измерение давления у выносящих сосудах почечного клубочка. Введено вещество, которое снижает это давление. Какое это вещество?
  6. Взаимодействие заряженных тел. Электрический заряд. Закон сохранения электрического заряда. Закон Кулона.
  7. Влияние концентрации реагирующих веществ.
  8. Влияние скорости течения, диаметра труб и концентрации твердой фазы на вязкость и коэффициент трения структурированных жидкостей
  9. Выходной для концентрации
  10. Вычисление объемной концентрации компонентов, измеряемых на хроматографе №1
  11. Вычисление объемной концентрации компонентов, измеряемых на хроматографе №2
  12. Глава 1. Ветер и измерение его параметров

Т Для определения концентрации и подвижности носителей заряда необходимо измерить проводимость образца и постоянную Холла. Измерения обычно проводят следующим образом: на верхней грани образца размещают два зонда 1 и 2 вдоль направления линий тока, а со стороны нижней грани устанавливают зонд 3, встречный одному из них. С помощью зондов 1 и 2 измеряют проводимость образца по двухзондовому методу, а зонды 1 и 3 служат для измерения холловской разности потенциалов.

Ez=Uн/b – холловское электрическое поле

j=I/S=I/bd – плотность тока

Холловская разность потенциалов:

Uн/b=Rн*I*B/bd Uн=Rн*IB/d Rн=Uн*d/IB

По измеренному значению Rн находится конц-ция носителей n, а затем из соотношения μ= Rн*σ вычисляется холловская подвижность. Если материал содержит 2 типа носителей заряда, определить их конц-wb. И подвижность с помощью эффекта Холла невозможно. Носители заряда, движущиеся со средней скоростью, не испытывают влияния силы Лоренца вследствие компенсирующего воздействия поля Холла, поэтому траектория их движения в магнитном поле остается неизменной. Но носители, скорость которых больше или меньше средней, будут отклоняться в разные стороны, скорость их движения вдоль продольного поля уменьшится, что эквивалентно возрастанию удельного сопротивления образца. Этот эффект называется поперечным магнитосопротивлением.Однако наибольшую погрешность в измерения обычно вносит напряжение неэквипотенциальности, причина появления которого: если зонды 1 и 3 расположены точно друг напротив друга, то при отсутствии магнитного поля они находятся на одной экви потенциальной поверхности и напряжение между ними равно нулю. Еслимежду ними есть некоторое смещение δ, то они находятся на разных эквипотенциальных поверхностях и даже в отсутствие магнитного поля между ними есть некоторое напряжение неэквипотенциальности Uδ:

Uδ(B=0)=1/σ*Iδ/Ld, причем Uδ зависит от В.

Если образцы имеют произвольную форму либо пленочные образцы, то используют метод Ван-Дер-Пау, для реализации которого используются однородные по толщине образцы, имеющие 4 точечных контакта, расположенных по периметру образца.

Постоянная Холла:

Rн=d*∆RABCD/B, где ∆RABCD=∆UBD/IAC-изменение сопротивления образца, вызванное магнитным полем

μ= Rн/ρ – подвижность, где ρ-удельное сопрот-ние

Для измерения подвижности применяют метод геометрического магнитосопротивления, когда использование других методов невозможно.

Магниторезистивный эффект возникает вследствие искривления пути носителей заряда в магнитном поле и отклонения направления ихдвижения от направления продольного электрического поля. На магниторезистивном эффекте основан метод измерения подвижности носителей заряда по геометрическому магнитосопротивлению .Сущность этого эффекта: в центральной части короткого и широкого образца магнитное поле уменьшает удельную проводимость в (1+μ2*B2)раз .Метод магнитосопротивления: на исслед. образец наносятся омические контакты большой площади и через ник протекают электрический ток Ix(вдоль оси х). В поперечном магнитном поле (вдоль оси z) в образце возникает холловский ток Iy. В данном случае холловский ток не компенсируется холловской разностью потенциалов, так как при геометрии образца, когда d/L<<1, токовые контакты закорачивают холловское поле.

L

+

 
d


-

Результирующий ток в образце будет направлен под некоторым углом к току Iх, что приведет к изменению сопротивления μ образца вдоль оси х.

μm=1/B* - магниторезистивная подвижность

где В – индукция магнитного поля; R(B) - изменение сопротивление образца, вызванное магнитным полем с индукцией В; R(0) – сопротивление образца.

Для того чтобы метод геом. магнитосопротивления обеспечивал высокую точность измерений, сопротивление контактов должно быть минимальным и пренибрежимо малы по сравнению с сопротивлением исследуемого образца.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)