АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Биполярные транзисторы

Читайте также:
  1. Апротонные биполярные растворители
  2. Биполярные транзисторы
  3. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
  4. Силовые транзисторы
  5. Транзисторы с барьером Шоттки
  6. Транзисторы. Устройство. Принцип действия. Обозначения в схемах. Применение.

Биполярные транзисторы можно определить как полупроводниковые приборы, управляемые током (под этим понимается, что диапазон изменения входных токов значительно больше диапазона изменения входных напряжений). Характеристики биполярных транзисторов чаще всего аппроксимируется двумя моделями – моделью Гуммеля-Пуна, либо, при опускании некоторых подробностей, – моделью Эберса-Молла.

Для проведения моделирования электрических схем необходимо иметь аналитическое описание поведения биполярных транзисторов в таких схемах. Такое аналитическое описание может быть построено из знания особенностей структуры и конструкции транзистора, что очень тяжело реализовать на практике. Другой подход, развитый в настоящее время, предполагает идентификацию параметров математической модели на готовом изделии из его различного рода электрических зависимостей, при этом параметры транзисторов могут быть извлечены из набора характеристик:

· статических характеристик;

· малосигнальных характеристик;

· частотных характеристик;

· импульсных характеристик.

Эти характеристики описывают структурно-физические модели Эберса-Молла. Исходные уравнения модели связывают эмиттерный , коллекторный и базовый токи со смещениями эмиттерного и коллекторного переходов,

(4.1)

(4.2)

(4.3)

Модель содержит шесть параметров – коэффициенты передачи тока в активном режиме и в инверсном режиме , коэффициенты неидеальности эмиттерного и коллекторного переходов, тепловой ток эмиттерного перехода и тепловой ток коллекторного перехода . Из (4) можно получить уравнения входной, выходной и передаточной характеристик транзистора.[3]


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |


При использовании материала, поставите ссылку на Студалл.Орг (0.005 сек.)