АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Диод 1N5822

Рис. 1. Чертеж корпуса

 

Таблица 1. Геометрические параметры

Параметр Мин. мм Макс. мм
A 25.4 -
B 7.3 9.5
C 1.2 1.3
D 4.8 5.3

 

 

Таблица 2. Предельно-допустимые режимы эксплуатации диода 1N5822

Максимальное постоянное обратное напряжение, В
Максимальное импульсное обратное напряжение, В
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А
Максимальное прямое напряжение,В (при Iпр.=3 А и при 9.4А) 0,525 0,950
Рабочая температура, ° С
-50 до +125

 

Давление окружающего воздуха от 2,7 * 104 до 3 * 105 Па
Относительная влажность при 40° С до 98%

 

 

 

Рис. 2. Прямая ветвь ВАХ диода

 

 

Для того, чтобы найти ток насыщения и коэффициент неидеальности диода n построим график ВАХ диода в полулогарифмическом масштабе. Примем I0=1А

 

Рис. 3. Прямая ветвь ВАХ диода в полулогарифмическом масштабе

 

Прямая ветвь ВАХ реального диода описывается двухпараметрической зависимостью, обобщающей формулу Шокли:

Считаем, что и тогда преобразуем формулу (2) следующему виду:

(7)

 

Для нижней ветки при :

 

Для верхней ветки при

 

Переход графика в область с более сильным наклоном (верхнюю) обусловлен тем, что начиная с некоторого тока прекращается рекомбинация в ОПЗ и доминируют процессы инжекции. Большой коэффициент неидеальности можно объяснить наличием большого числа ловушек на границе p-n перехода, а также погрешностью измерений начальных данных. С увеличением напряжения между анодом и катодом наступает момент заполнения всех ловушек носителями, и ток начинает расти сильнее от приложенного напряжения.

По линейной части ВАХ диода найдем последовательное сопротивление p и n областей:

Рис .4. Расчет сопротивления базы

 

Найдём напряжение пробоя обратной ветви

 

Рис.5. Обратная ветвь ВАХ диода

 

Из графика обратной ветви ВАХ диода

Построим график обратной ветви ВАХ диода в полулогарифмическом масштабе и найдём ток насыщения обратной ветви диода (Примем I0=1 мА)



Рис. 6. Обратная ветвь ВАХ диода в полулогарифмическом масштабе

 

-3.91202

Найдём концентрацию носителей заряда в слаболегированной области. Напряжение пробоя p-n перехода (без учета кривизны перехода) может быть определено исходя из соотношения:

В,

где N – концентрация примеси в атомах/см3 на слаболегированной стороне перехода.

 

Проведём сравнение :

 

 

При U<0.375

 

 

При U>0.375

 

Рис. 7. Теоретическая и экспериментальные характеристики

 

 

Таблица 3. Параметры модели для диода

Параметры модели для диода Значение параметра
Ток насыщения диода , А
Коэффициент неидеальности диода , n 1,9
Сопротивление базы , Ом
Ток насыщения обратной ветви диода, А
Напряжение обратимого пробоя диода,
Концентрация носителей заряда на слаболегированной стороне перехода,

 

Отметим сразу погрешность измерений с помощью Л2-56.

Основная погрешность определения тока коллектора на фиксированных значениях от 1 мкА/дел до 2 А/дел и начального и обратного тока на фиксированных значениях от 100 нА/дел до 2 мА/дел не превышает ±5% от конечного значения установленного предела измерения тока, определяемого как произведение фиксированного значения калиброванной чувствительности усилителя индикации по вертикали на количество делений шкалы. К этой погрешности следует добавить погрешность снятия значений с экрана прибора, которая составляет 0,1 от большого деления, т.е. 10% от установленной цены деления. Т.е. суммарная погрешность составит , где x – установленная цена деления шкалы, т.е., например, при цене деления в 1 мА (вся шкала 10 мА), погрешность определения тока составит 0,5 мА. Это говорит о целесообразности пользоваться наиболее высокими делениями шкалы в данном масштабе для снижения относительной погрешности.

‡агрузка...

Приведенная погрешность справедлива и для следующих пунктов записки.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |


При использовании материала, поставите ссылку на Студалл.Орг (0.016 сек.)