АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Особенности полупроводникового производства

Читайте также:
  1. I. ГИМНАСТИКА, ЕЕ ЗАДАЧИ И МЕТОДИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ
  2. III. Психические свойства личности – типичные для данного человека особенности его психики, особенности реализации его психических процессов.
  3. IV. Особенности правового регулирования труда беременных женщин
  4. MFG/PRO – лучшее решение для крупных и средних промышленных предприятий с дискретным типом производства
  5. S.9. Организация конструкторской подготовки производства на предприятии
  6. V. Особенности развития предпринимательства
  7. Аграрная реформа 1861 г., ее механизм и особенности проведения в белорусских губерниях.
  8. Агрегатный индекс цен: особенности построения с учетом разных весов
  9. Административная ответственность юридических и физических лиц за нарушения законодательства по архивному делу и ведению делопроизводства.
  10. Акты применения права, их особенности и виды
  11. Акты применения права: понятие, особенности и виды.
  12. Акты толкования права: понятие, особенности, виды.

Большая сложность изделий полупроводниковой электроники, их весьма высокая чувствительность к микроскопическим дозам загрязнений и невозможность исправления брака выдвигают исключительно высокие требования к качеству материалов, точности работы оборудования и условиям производства. Во многих случаях речь идёт о предельно достижимых (на современном уровне техники) требованиях, существенно превосходящих требования, выдвигаемые др. отраслями техники.

Материалы полупроводниковой электроники должны иметь строго заданные состав и структуру, нередко обладать исключительно высокими чистотой и совершенством структуры. Так, например, Ge высокой чистоты характеризуется содержанием неконтролируемых примесей < 10-10.

О требованиях к точности работы оборудования можно получить представление на примере оптико-механических установок. Для создания на поверхности пластины диаметром 30—80 мм сотен тыс. элементов различной формы и размеров применяют шаблоны, при помощи которых последовательно проводят несколько диффузионных процессов, наносят металлические плёнки и т.д. При изготовлении фотошаблонов и совмещении очередного шаблона с рисунком, ранее нанесённым на ПП пластину, точность работы оптико-механического оборудования должна составлять десятые доли мкм. Поэтому оптическая часть оборудования, разработанного специально для нужд полупроводниковой электроники, характеризуется сверхвысокой разрешающей способностью, достигающей более 1000 линий на мм (у применяемых фотоматериалов она ещё выше — 1500 линий на мм), и не имеет аналогов в др. областях техники. Уменьшение размеров элемента до 1 мкм и переход к субмикронным размерам создают значительные трудности, обусловленные главным образом явлением дифракции. Их преодоление — в переходе от световых лучей к электронным, которые могут быть сфокусированы до десятых и сотых долей мкм. В этом случае минимальный размер элемента будет определяться диаметром электронного луча. Механическая обработка полупроводниковых пластин должна осуществляться по 14-му классу чистоты обработки поверхности, с отклонениями от плоскости (плоскостностью), не превышающими 1 мкм. Особые требования выдвигаются также и по отношению к термическому оборудованию: точность установки и поддержания температуры на уровне 1000—1300 °С должна быть не хуже ± 0,5 °С.



Очень жёсткие требования предъявляются к условиям производства изделий полупроводниковой электроники. Газовая среда, в которой проходят некоторые, наиболее важные технологические процессы, должна подвергаться тщательной осушке и обеспыливанию. Содержание в ней влаги измеряется долями процента и оценивается по температуре газа, при которой наступает конденсация влаги (по точке росы). Если в цеховой атмосфере поддерживается «комфортная влажность» (соответствующая относительной влажности 50—60%), то в специальные боксы (скафандры), в которых осуществляется, например, сборка изделий, подаётся воздух, азот или аргон, осушенный до точки росы, равной — (50—70) °С. Один из наиболее серьёзных врагов полупроводникового производства — пыль. Одна пылинка размером в несколько мкм, попавшая на поверхность пластины в ходе процессов фотолитографии, почти всегда приводит к неисправимому браку. В зависимости от сложности изделия и некоторых др. требований запылённость воздуха на рабочем месте возле обрабатываемой полупроводниковой пластины должна составлять не более 4000 пылинок на м3. Столь низкий уровень запылённости обеспечивается оборудованием внутри цехов чистых комнат, доступ в которые разрешается только ограниченному кругу лиц. Персонал, работающий в чистых комнатах, переодевается в специальную одежду и проходит к рабочему месту через герметичные шлюзы, где производится обдув одежды и удаление пыли. В чистых комнатах до 300 раз в час совершается полный обмен воздуха с пропусканием его через соответствующие фильтры. Совершенно обязательно соблюдение персоналом требований личной гигиены: регулярное и тщательное мытьё рук, ношение специальной одежды, перчаток, шапочек и косынок и т.д. Все эти меры являются совершенно необходимым условием для обеспечения высоких экономических показателей и качества выпускаемой продукции, в том числе надёжности изделий.

‡агрузка...

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 |


При использовании материала, поставите ссылку на Студалл.Орг (0.005 сек.)