АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Проверка исправности транзисторов инвертора и шунтирующих их обратных диодов

Читайте также:
  1. V. Проверка жизнью избирательных лозунгов
  2. VI. Проверка статистических гипотез, критерий Стьюдента
  3. VII. Проверка статистических гипотез, критерий Хи-квадрат
  4. Аудит учредительных документов. Проверка формирования уставного капитала
  5. Вероятные неисправности МБВ в режиме горизонтирования ступеней.
  6. Вероятные неисправности МБВ в режиме укладки комплекта колен
  7. ВЕРОЯТНЫЕ НЕИСПРАВНОСТИ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ
  8. Возможные неисправности и способы их устранения
  9. Вопрос 2 Проверка и оценка в задачах со случайными процессами на примере решения задач экозащиты, безопасности и риска.
  10. Выездная налоговая проверка
  11. Глава 24. Проверка показаний на месте
  12. Для обеспечения постоянной надежности работы устройств молниезащиты ежегодно перед началом грозового сезона производится проверка и осмотр всех устройств молниезащиты.

С помощью справочных данных, определяют расположение выводов и основные характеристики полупроводниковых приборов.

С помощью омметра измеряют сопротивления переходов силовых транзисторов RЭ – К, RК – Э, RБ – Э, RЭ – Б, RК –Б , RБ – К. Результаты измерений при проверке исправности мостового инвертора, выполненного на транзисторах VT1 – VT6 и диодах VD3 – VD8, заносят в табл. 3.

Таблица 3

  VT1 Сопротивл. Ом VT2 Сопротивл. Ом VT3 Сопротивл. Ом VT4 Сопротивл. Ом VT5 Сопротивл. Ом VT6 Сопротивл. Ом
Полярность омметра RБЭ RБК RКЭ RБЭ RБК RКЭ RБЭ RБК RКЭ RБЭ RБК RКЭ RБЭ RБК RКЭ RБЭ RБК RКЭ
Прямая                                    
Обратная                                    

 

При измерениях необходимо учесть, что между эмиттером и коллектором в обратном направлении включен шунтирующий диод, поэтому сопротивление этого перехода определяется сопротивлением обратного диода в прямом направлении. Сопротивление RК–Э в прямом направлении должно составлять десятки мОм. Сопротивление переходов RБ-Э , RБ-К в прямом направлении должно составлять несколько десятков Ом. Сопротивление переходов RБ-Э, RБ-К в обратном направлении должно составлять несколько десятков мОм. Если сопротивления RЭ – К и RК_- Э одинаковы и «малы», то это говорит о том, что обратный диод пробит, если же эти сопротивления одинаковы и «велики» - структура оборвана.

Исправность транзистора можно дополнительно проверить путем закорачивания перехода база–коллектор, при приложенном прямом напряжении к коллекторно – эмиттерной цепи. Сопротивление перехода коллектор-эмиттер RК-Э исправного транзистора при этом должно резко уменьшиться и составить, например, несколько десятков Ом вместо десятков мОм. Если же этого не происходит, то транзистор неисправен.



Убедившись в исправности силовых транзисторов и шунтирующих их обратных диодов, производят проверку наличия «паразитных» связей. При проверке убеждаются в том, что коллекторная и эмиттерная группы не «звонятся» между собой. Значения сопротивлений между эмиттерной и коллекторной группами приводят в отчете.

В заключение оценивают идентичность характеристик силовых транзисторов. Для этого сравнивают значения сопротивлений переходов транзисторов. Значения сопротивлений переходов коллектор-эмиттер не должно отличаться между собой более чем на 3…5%. Транзисторы должны иметь небольшой разброс сопротивлений коллектор-эмиттер для равномерной загрузки фаз по току. Различие в сопротивлениях переходов RБ-Э , RБ-К каналов незначительно сказывается на симметрии токов фаз в связи с тем, что транзисторы работают в ключевом режиме.

В отчете делают выводы о наличии паразитных связей, исправности транзисторов и обратных диодов, идентичности характеристик.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |


При использовании материала, поставите ссылку на Студалл.Орг (0.005 сек.)