 |
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция
Базовая технология полупроводниковых интегральных МС
Диффузно – планарных.
Внедрение примесей определенного типа в полупроводниковые пластину, а все операции происходят на поверхности слоя пластины.
Заготовка – пластина монокристалл кремния с дырочной электропроводностью.
А) - дырочная проводимость
 |
В слое SiO2 с помощью фотолитографии вытравливают окна. Через эти окна путем диффузии вводят атомы примеси донора, одновременно окисляя кремнием.
Б)
 |
окно
 |
в)
 |
n коллекторная область
p
Таким образом, получим p-n переход.
Вторичным вскрытием окон меньших размеров (г) в окиси и послед. диффузии примеси акцептора формируют р область, выполняя роль базы будущего транзистора.
Г)
p
n
p
В результате 3-го цикла диффузия и окисления получает область эмиттеров.
Операция, предшествующая сборке – разрезание на кристаллы, операция разрезания пластин называется скрайбированием.
Требование к пластине:
1.различ дислокации не более 10 см.
2.пробег пластины не более 8 микрон
3.неплоскость и клиновидность
4.В пределах партии должна быть толщина не более 5 микрон.
Недостатки:
Имеют маленькую точность, большая стоимость технологического процесса.
Поиск по сайту: