АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Методические указания к выполнению работы. 2.2.1 Установить печатную плату ЕВ – 111, которая содержит схему на рисунке 2.1, в стенд PU 2000 от DEGEM system

Читайте также:
  1. B. Советы по выполнению теста
  2. I Психологические принципы, задачи и функции социальной работы
  3. I. ГИМНАСТИКА, ЕЕ ЗАДАЧИ И МЕТОДИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ
  4. I. Задания для самостоятельной работы
  5. I. Задания для самостоятельной работы
  6. I. Задания для самостоятельной работы
  7. I. КУРСОВЫЕ РАБОТЫ
  8. I. Методические основы
  9. I. Методические основы оценки эффективности инвестиционных проектов
  10. I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ
  11. I. ОБЩИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ КУРСОВОЙ РАБОТЫ
  12. I. ОБЩИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ КУРСОВОЙ РАБОТЫ

 

2.2.1 Установить печатную плату ЕВ – 111, которая содержит схему на рисунке 2.1, в стенд PU 2000 от DEGEM system.

2.2.2 Измерить сопротивления резисторов Rv1, R4, R5.

2.2.3 Собрать схему для снятия входной характеристики Iб = f(Uбэ) транзистора при напряжении на коллекторе Uкэ= 0В (см. рисунок 2.1).

2.2.4 При помощи переменного резистора Rv1 изменять базовый ток с интервалом 10 мкА, измеренные значения напряжения базы Uбэ занести в таблицу 2.1.

Рисунок 2.1 – Схема для снятия входной характеристики биполярного транзистора при напряжении на коллекторе, равном нулю

 

Таблица 2.1

,µA
Uбэ, В                    

 

2.2.5 Собрать схему для снятия входных характеристик Iб=f(Uбэ) биполярного транзистора при фиксированных напряжениях на коллекторе Uкэ=5В и Uкэ=10В (см. рисунок 2.2).

2.2.6 С помощью регулятора источника питания PS-1 установить коллекторное напряжение Uкэ=5В.

2.2.7 При помощи переменного резистора Rv1 изменять базовый ток, измеренные значения напряжения базы Uбэ заносить в таблицу 2.2.

2.2.8 С помощью регулятора источника питания PS-1 установить коллекторное напряжение Uкэ=10В.

2.2.9 При помощи переменного резистора Rv1 изменять базовый ток, измеренные значения напряжения базы Uбэ заносить в таблицу 2.2.

Рисунок 2.2 – Схема для снятия входных характеристик биполярного транзистора при напряжениях на коллекторе 5В и 10В

 

Таблица 2.2

Iб, µA
Uбэ, В при Uкэ=5В            
Uбэ, В при Uкэ=10В            

2.2.10 Собрать схему для снятия выходной характеристики.

Iк=f(Uкэ) транзистора при токе базы, равном нулю (см. рисунок 2.3).

2.2.11 С помощью регулятора источника питания PS-1 изменять коллекторное напряжение от нуля до 9В с интервалом 1В, значения тока коллектора занести в таблицу 2.3.

2.2.12 Собрать схему для снятия выходных характеристик Iк=f(Uкэ) транзистора при фиксированных токах базы (см. рисунок 2.4).

2.2.13 При помощи переменного резистора Rv1 установить базовый ток 20мкА, с помощью регулятора источника питания PS-1 изменять коллекторное напряжение от нуля до 9В с интервалом 1В, значения тока коллектора занести в таблицу 2.3.



Рисунок 2.3 – Схема для снятия выходной характеристики транзистора при токе базы, равном нулю

 

2.2.14 Снять характеристики Iк=f(Uкэ) при заданных токах базы.

Рисунок 2.4 – Схема для снятия семейства выходных характеристик биполярного транзистора при заданных токах базы

 

Таблица 2.3

Iб, µA Iк, при Uкэ=1В Iк, при Uкэ=2В Iк, при Uкэ=3В Iк, при Uкэ=4В Iк, при Uкэ=5В Iк, при Uкэ=6В Iк, при Uкэ=7В Iк, при Uкэ=8В Iк, при Uкэ=9В
                 
                 
                 
                 
                 
                 

 

2.2.15 Установить печатную плату ЕВ – 112, которая содержит схему для исследования полевого тарнзистора, в стенд PU 2000 от DEGEM system.

2.2.16 Измерить сопротивления резисторов R1, R2, R3, R4, RV1.

2.2.17 Собрать схему для снятия стоковых характеристик Iс = f(Uси), показанную на рисунке 2.5.

Рисунок 2.5 – Схема для снятия характеристик полевого транзистора

 

2.2.18 Устанавливая фиксированные напряжения на затворе Uзи, снимать зависимости тока стока от напряжения на стоке Iс = f(Uси.), изменяя напряжение источника PS-1. Данные заносить в таблицу 2.4.

 

Таблица 2.4

Uзи, В Iс при Uси=0,1В Iс при Uси=0,5В Iс при Uси=1В Iс при Uси=2В Iс при Uси=5В Iс при Uси=10В
           
-0,5            
-1,0            
-1,5            
-2,0            

 

‡агрузка...

2.2.19 Устанавливая фиксированные напряжения на стоке Uси, снимать зависимости тока стока от напряжения на затворе Iс = f(Uзи), изменяя напряжение источника PS-2. Данные заносить в таблицу 2.5.

 

Таблица 2.5

Uси Iс при Uзи = =0 В Iс при Uзи = =-0,25В Iс при Uзи = =-0,5В Iс при Uзи = =-1В Iс при Uзи = =-2В Iс при Uзи отсечки.
0,5            
           
           
           
           

2.2.20 Измерить напряжение Uзи отсечки, при котором прекращается стоковый ток.

2.2.21 Собрать схему для измерения сопротивления канала исток-сток, показанную на рисунке 2.6.

2.2.22 Установить напряжение источника PS-1, равным 10В, снимать показания вольтметров. Данные заносить в таблицу 2.6.

 

Таблица 2.6

Uзи, В 0 В -0,25В -0,5В -1В -2В Uзи отсечки
Uси            
Rси            

Рисунок 2.6 – Схема для измерения сопротивления канала исток-сток


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |


При использовании материала, поставите ссылку на Студалл.Орг (0.158 сек.)