АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Эмиттерный повторитель (ЭП)

Читайте также:
  1. Повторитель (буфер) на ОУ

ЭП обладает высоким входным сопротивлением RВХ и малым выходным сопротивлением RВЫХ и поэтому используется для согласования источника сигнала и нагрузки. Условие согласования для источников сигналов в виде напряжений – RИСТ << RН. На практике принимают RИСТ ≤ 0,1RН. При невыполнении этого условия ставят буферный элемент, например, ЭП, у которого RВХ и RВЫХ обеспечивают условие RИСТ ≤ 0,1RВХ и RВЫХ ≤ 0,1RН.

Рис. 3.11. Согласование источника сигнала и нагрузки при помощи ЭП

 

В ЭП коллектор транзистора непосредственно подключен к источнику питания. На базу подается напряжение смещения для задания активного режима. Выходной сигнал снимается с эмиттерного резистора. В зависимости от полярности транзистора и источника питания возможен ряд вариантов включения.

n-p-n-транзистор n-p-n-транзистор p-n-p-транзистор p-n-p-транзистор

питание +UКК питание –UЭЭ питание –UКК питание +UЭЭ

Рис. 3.12. Варианты подключения ЭП к источнику питания

 

Рассмотрим вариант ЭП на n-p-n-транзисторе и определим его RВХ, используя простейшую модель транзистора.

 

 

Рис. 3.13. К определению входного сопротивления ЭП

Так как транзистор – нелинейный элемент, рассматриваем малые приращения напряжений и токов, для которых можно использовать закон Ома. Пренебрегая падением напряжения на открытом эмиттерном переходе, считаем, что . Из простейшей модели транзистора следует: . Тогда входное сопротивление, определяемое приращением тока базы и напряжения базы: .

Таким образом, входное сопротивление ЭП, соответствующее сопротивлению со стороны базы транзистора, приблизительно в ß раз больше сопротивления, стоящего в эмиттере.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 |


При использовании материала, поставите ссылку на Студалл.Орг (0.012 сек.)