АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Усилители с общим истоком

Читайте также:
  1. ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЕ УСИЛИТЕЛИ
  2. Всеобщими формами существования (бытия) матери выступают пространство и время.
  3. Двусторонние усилители
  4. Двухкаскадные усилители
  5. Избирательные усилители
  6. Импульсные(широкополосные) усилители
  7. Какое из следующих утверждений, характеризующих связь между общим, средним и предельным продуктом, является неверным?
  8. Общим способом решения следственных задач является информационное моделирование.
  9. Общими распоряжениями полиции. Конституции закрепляют пра-
  10. Однокаскадные усилители на биполярных транзисторах
  11. Операционные усилители
  12. Операционные усилители (ОУ) и обратная связь

Для построения усилителя на ПТ с управляющим p-n-переходом (рис. 13.1) достаточно применить рассмотренную в предыдущей лекции схему транзисторного источника тока с автоматическим смещением (рис. 12.7), добавив резистор, соединяющий затвор с землей. Сигнал подается на затвор транзистора.

 

Рис. 13.1.Схема усилителя с общим истоком на n-канальном ПТ
с управляющим p-n-переходом

 

Работа усилителя осуществляется на участках выходных (стоковых) характеристик, соответствующих насыщению, т.е. при UСН < UС < UСmax. При этом ток стока IС для заданного UЗИ начинает быть постоянным и не зависит от нагрузки.

Управляемый ток в канале будет максимален при UЗИ = 0. Для
n-канального транзистора чем UЗИ более отрицательно, тем сильнее перекрывается канал и меньший ток протекает через него. Для рассматриваемой схемы UЗ ≈ 0, так как через резистор R протекает весьма малый ток.

За счет протекания тока стока через канал будет некоторое падение напряжения UИ = IСRС > 0. Поэтому относительно истока UЗИ = U¢ЗИ = UЗ – UИ »
» –UИ < 0, что и требуется для n-канального ПТ.

Изменение входного сигнала UВХ относительно заданного смещения U'ЗИ будет приводить к соответствующим изменениям тока через канал. При условии симметричности изменения сигнала на выходе, т.е. UC = 0,5UCC = UCCICRC =
= ICRC, коэффициент передачи будет определяться:

,

где – крутизна стоково-затворной характеристики.

 

 

Рис. 13.2.Стоково-затворные и стоковые характеристики для n-канального ПТ

 

Изменение сигнала на затворе приведет к следующим изменениям: ↕uВХ→↕iС→↕S→↕КU. Поэтому при изменении напряжения на затворе в течение периода сигнала происходит изменение коэффициента усиления, что приводит к нелинейным искажениям, аналогичным искажениям в схеме с заземленным эмиттером.

Если обеспечить UЗ UИ за счет (условие хорошего ИП), а постоянное напряжение на стоке выбрать из условия симметричности сигнала , то коэффициент передачи по напряжению можно определять по формуле .

Кроме этого, при расчетах подобных каскадов усилителей используют следующие параметры полевого транзистора:

1. S = f(UЗИ). Если известна данная зависимость, то можно оценить нелинейные искажения.



2. Известно некоторое значение крутизны S0при заданном токе стока IС0, т.е. задается одна определенная точка. Тогда крутизну в любой другой точке стоково-затворной характеристики можно пересчитать по формуле .

Крутизна ПТ значительно ниже, чем у биполярного транзистора. Коэффициент усиления КU также ниже примерно в 20 раз. Поэтому усилители на ПТ целесообразно применять в тех случаях, когда необходимы их уникальные свойства – это в первую очередь высокое входное сопротивление и низкий уровень шума.

Аналогичным образом задается смещение и для МОП-транзисторов со встроенным каналом.

Для МОП-транзисторов с индуцированным каналом напряжение смещения на затвор U'ЗИнеобходимо подавать с делителя, питаемого от источника напряжения для стока. При этом резисторы смещения могут иметь достаточно большие сопротивления (МОм), поскольку ток утечки затвора очень мал.

 

Рис. 13.3.Схема усилителя с общим истоком на n-канальном МОП-транзисторе

 

В схемах усилителей на ПТ, как и в схемах усилителей с ОЭ на биполярных транзисторах, применяется шунтирование истокового резистора RИ конденсатором СИ. Это позволяет обеспечить необходимые режимы ПТ по постоянному току и одновременно увеличить коэффициент усиления в диапазоне рабочих частот. Соображения по выбору величины шунтирующего конденсатора аналогичны выбору в схеме с ОЭ.

 

 

Рис. 13.4.Шунтирование резистора в усилителе с общим истоком


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 |


При использовании материала, поставите ссылку на Студалл.Орг (0.005 сек.)