АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Анализ резисторного каскада в области нижних частот

Читайте также:
  1. I. Понятие и анализ оборотного капитала
  2. III. Анализ изобразительно-выразительных средств, определение их роли в раскрытии идейного содержания произведения, выявлении авторской позиции.
  3. III. Анализ представленных работ
  4. PR - public relations (общественные связи): цели и задачи, области их использования, инструменты PR.
  5. SWOT - анализ предприятия. Анализ возможностей и угроз.
  6. SWOT анализ Липецкой области
  7. SWOT анализ Пермской области
  8. SWOT анализ Свердловской области
  9. SWOT анализ Тамбовской области
  10. SWOT анализ Чувашской республики
  11. SWOT-анализ деятельности предприятия ООО «Кока-Кола»: выявление альтернативных стратегических задач
  12. SWOT-анализ организации

В области низких частот проводимость незначительна, и ею можно пренебречь. Сопротивление Хсо=1/jωC0 велико. Следовательно, эта цепь шунтирующего влияния не оказывает. Однако в области низких частот необходимо учитывать влияние реактивного сопротивления емкости С1, так как сопротивление ХС1= 1/jωC1 возрастает, на нем происходит падение нап­ряжения, вследствие чего уменьшается и коэффициент усиления. Поэтому эквивалентная схема в области нижних частот примет вид, изображенный на рис.6.6,а.

 

Рис.6.6.Эквивалентные схемы усилителя в области НЧ: а – с генератором тока; б – с генератором ЭДС.

 

Для упрощения дальнейших выкладок преобразуем эквивалентную схему с гене­ратором тока в эквивалентную схему с генератором ЭДС (рис.6.6,б), гдеRэ=RiRн/(Ri+Rн),E=SUвхRэ

Ток и напряжение в выходной цепи:

(6.13)

Комплексный коэффициент усиления в области низких частот соответственно определяется:

(6.14)

где , т.к. Rэ<< R1;

Определим модуль комплексного коэффициента усиления в области низких частот

(6.15)

В соответствии (6.15) построим график АЧХ на нижних частотах, рис.6.7.

56)Күшейткіштіңжұмыснүктесініңығысуынқамтамасызететінтәслдер

Ауысу көзі ЕБ-мен анықталатын, берілген база тогында IБ жүктемелік тіке сызықтың статикалық сипттамақисығымен қиылысып өтетін нүктесін жұмыс нүктесі деп атайды.Жұмыс нүктесінің орнын таңдау кіріс айнымалы сигналдың амплитудасына, түріне және полярлығына тәуелді түрде жүргізіледі.Осыған байланысты күшейткіш каскадтың үш негізгі режимін айырады – олар А,В,С кластар режимдері.

А класы режимінде жұмыс нүктесінің алғашқы орнын жүктемелік тіке сызықтың ортасынан таңдайды, бұл жағдайда базалық токтың өзгеруіне сәйкес келеді.

В режимінде жұмыс нүктесінің бастапқы орны динамикалық сипаттамада IKOға жақын коллектор тогы мәнінде таңдап алынады.



С режимінде жұмыс нүктесі IKO=0 болатын динамикалық сипаттамадағы кернеу өсінен алынады, яғни басқаша айтқанда транзисторды тыйып тастау режимі деп аталатын , коллектор кернеуі үлкен болатын режимде жұмыс істейді.

57) Күшейткіш каскадындағы стабилизация режимі.

А режимде жұмыс істейтін күшейткіш каскадтардың температура өзгергенде, транзисторды ауыстырғанда, транзистор және резисторлар ескіргенде жұмыс істеу қабілетін қамтамассыз ету үшін жұмыс нүктесін стабилизация жасау схемалары қолданылады. БТ-лы каскадтарда ең көп тараған стабилизация схемалары – эмиттерлік стабилизация. Схемасы:

Эмиттерлік стабилизация транзистордың токты беру коэффициенті β 5÷10 есе өзгерткенде және температура 70÷100ºС аралығында өзгергенде каскадтың орнықты (стабильді) жұмыс істеу қабілетін қамтамассыз.

Коллекторлық схемасы:

Бұл схемада стабилизация жасау үшін қолданылады. Бірақ көп қолдануы эмиттордан кейінгі орында.

58) Ортақ эмиттері бар транзисторлық ТЖК. Эквиваленті сұлба.

Күшейткіштерде транзистордың ортақ эмиттерде (ОЭ) қосылу схемасы қолданылады, өйткені бұл схеманың қуат бойынша ең жоғары күшейту мүмкіндігі бар.

Эквивалентті сұлбасы:

Бұл схемада транзистордың коллектор тогы мен кернеуінің арасында мынадай байланыс бар:

UКЭK-IKRЖ

Транзистордың мұндай жұмыс режимін динамикалық деп атайды.

59) Ортақ базасы бар транзисторлық ТЖК. Эквиваленті сұлба.

Эквиваленті сұлба:

Бұл сұлба бойынша коффициенттер:

кернеу күшейту коэффициенті 10-100 арасында. Қуат күшейту коэффициенті 10-100 арасында. Кіріс кедергісі 10-дық Ом. Шығыс кедергісі 100-дік МОм.

‡агрузка...

60) Эмиттерлік қайталағыштың қызметі мен сұлбасы.

Сұлбасы:

Ортақ коллекторы бар сұлбада кернеу күшейтуі жоқ, себебі

=

Өйткені RН>>Rвxб, К»1 деп санауға болады.

Ортақ коллекторлы сұлбаларды көбіне эмиттерлі қайталағыш деп атайды, себебі жүк эмиттер тізбегіне қосылған. Кернеу күшейту коэффициенті шамамен бірге тең және шығыстық кернеу фаза бойынша кірістікпен бірдей.

Эмиттерлі қайталағыш кеңінен каскад арасында кедергілер келісу каскады ретінде немесе күшейткіш шығысы мен оның жүк арасында қолданылады. Сұлбада қуат күшейту коэффициенті ортақ эмиттермен шамамен ток күшейту коэффициентіне ұқсайды:

Қызметі кірістегі сигналдың тек тогын күшейтіп береді. Кернеу күшейтпейді.

 

61. Динамикалық жүктемесі бар дифференциалдық күшейткіш.

62. Тұрақты ток генераторы бар дифференциалдықкүшейткіш.

63. Екікаскадтыоперациялықкүшейткіштіңжұмысы.

64. Акивтісүзгілердіңэлектрліксұлбалары.Негізгіпараметрлері.

65. Санағыштар мен регистрлердіңқызметі мен параметрлері.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 |


При использовании материала, поставите ссылку на Студалл.Орг (0.169 сек.)