АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция
|
уменьшает, а какое увеличивает ширину запирающего слоя?
Потенциа́льный барье́р — область пространства, разделяющая две другие области с различными или одинаковыми потенциальными энергиями. Характеризуется «высотой» — минимальной энергией классической частицы, необходимой для преодоления барьера.
На границе между областями образуется двойной слой разноименно заряженных ионов (на рисунке ионы показаны кружками с плюсом и минусом). Этот слой называется запирающим. Он обеднен основными носителями заряда и обладает большим сопротивлением по сравнению с сопротивлением n и p областей.
Если к кристаллу приложено внешнее напряжение U так, что плюс подан на л-область, а минус на р-область, то направления внешнего и контактного полей совпадают. Это приводит к увеличению скачка потенциала (теперь он становится равным UK U) и к увеличениюширины запирающего слоя. Если напряжение входное, то ширина запирающего слоя уменьшается.
Позиция
| Обозначение
| 1
| Буква или цифраисходного полупроводникового материала:
Г или 1 – германий или его соединения;
К или 2 – кремний или его соединения;
А или 3 – соединения галлия;
И или 4 – соединения индия
| 2
| Буква- подкласс приборов:
Д – диоды выпрямительные и импульсные;
Ц – выпрямительные столбы и блоки;
В – варикапы;
И – туннельные диоды;
А – сверхвысокочастотные диоды;
С – стабилитроны;
Г – генераторы шума;
Л – излучающие оптоэлектронные приборы;
О – оптопары.
| 3
| Цифра –функциональные возможности.
Подкласс Д:
1 – выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
2 – выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого тока не свыше 10 А;
3 – импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления более 500 нс;
4 – импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления в пределах 150…500 нс;
5 – импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления в пределах 30…150 нс;
6 – импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления в пределах 5…30 нс;
7 - импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления в пределах 1…5 нс;
8 – импульсные диоды с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс.
Подкласс Ц:
1 – столбы с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
2 - столбы с постоянным или средним значением прямого тока 0,3…10 А;
3 - блоки с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
4 - блоки с постоянным или средним значением прямого тока 0,3…10А.
Подкласс В:
1 – подстроечные варикапы;
2 – умножительные варикапы.
Подкласс И:
1 – усилительные туннельные диоды;
2 – генераторные туннельные диоды;
3 – переключательные туннельные диоды;
4 – обращенные диоды.
Подкласс А:
1 – смесительные диоды;
2- детекторные диоды;
3 – усилительные диоды;
4 – параметрические диоды;
5 – переключательные и ограничительные диоды;
6 – умножительные и настроечные диоды;
7 – генераторные диоды;
8- импульсные диоды.
Подкласс С:
1 – стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;
2- стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10…100 В;
3 - стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более100 В;
4 - стабилитроны мощностью 0,3…5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;
5 - стабилитроны мощностью 0,3…5 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10…100 В;
6 - стабилитроны мощностью 0,3…5 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;
7 - стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;
8 - стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10…100 В;
9 - стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В.
Подкласс Г:
1 – низкочастотные генераторы шума;
2 – высокочастотные генераторы шума.
| 4
| Число –порядковый номер разработки.
Обычно используются двузначные числа от 01 до 99; если порядковый номер превышает число 99, то применяют трехзначное число от 101 до 999.
| 5
| Буква –классификация по параметрам (квалификационная литера). Применяют буквы русского алфавита, кроме букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ, Э.
| Дополнительные символы
| Цифры:1…9 – для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров;
Буква С– для обозначения сборок – наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами;
Цифры, написанные через дефис– для обозначения следующих модификаций конструктивного исполнения бескорпусных приборов:
-1 – с гибкими выводами без кристаллодержателя;
-2 –с гибкими выводами на кристаллодержателе;
-3 – с жесткими выводами без кристаллодержателя;
-4 – с жесткими выводами на кристаллодержателе;
-5 – с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов;
-6 – с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов.
|
Д228Б – Д – диоды выпрямительные и импульсные.228-плоскостной кремниевый диод. Б -
Д226Б - Д – диоды выпрямительные и импульсные.226-плоскостной кремниевый диод. Б –
Д220 - Д – диоды выпрямительные и импульсные.220-плоскостной кремниевый диод.
Д223 - Д – диоды выпрямительные и импульсные.223-плоскостной кремниевый диод.
1.6 Для указанных ниже разновидностей диодов привести их УГО и назначение:
- туннельный диод;
- обращенный диод;
- варикап;
- стабилитрон (односторонний, двухсторонний);
- ограничитель напряжения (односторонний, двухсторонний);
- светодиод;
- фотодиод.
Туннельные диоды, как известно, при некоторых режимах обладают отрицательным динамическим сопротивлением. Благодаря этому свойству данные элементы могут выполнять функции генераторов колебаний и усилителей радиосигналов.
УГО -
Обращённый диод применяется в высокочастотных схемах детектирования слабых сигналов, а также в смесителях СВЧ сигналов.[1] При этом максимальное рабочее обратное напряжение может лежать в пределах от 0,1 до 0,7 В.
УГО -
Варикапы применяются в качестве элементов с электрически управляемой ёмкостью в схемах перестройки частоты колебательного контура, деления и умножения частоты, частотной модуляции, управляемых фазовращателей и др.
УГО -
1 | 2 | Поиск по сайту:
|