НАНОЭЛЕКТРОНИКА – NANOELECTRONICS

1. наноэлектроника (англ. nanoelectronics) — область науки и техники, связанная с разработкой архитектур и технологий производства функциональных устройств электроники с топологическими размерами элементов, не превышающими 100 нм, а также с изучением физических основ функционирования таких устройств.

1. нанометр сокр., нм (англ. nanometer сокр., nm) — одна миллиардная доля метра.
2. электроника, биомолекулярная иначе молетроника; молекулярная электроника; нанобиоэлектроника (англ. biomolecular electronics или molecular electronics) — область науки, лежащая на стыке электроники и нанотехнологий, в которой биомолекулы и реализованные в них принципы обработки информации и передачи энергии используются для создания элементов электронных устройств.
3. "умные" материалы иначе "интеллектуальные" материалы (англ. smart materials) — класс различных по химическому составу и агрегатному состоянию материалов, которые объединяет проявление одной или нескольких физических (оптических, магнитных, электрических, механических) или физико-химических (реологических и др.) характеристик, значительно (обратимо или необратимо) изменяющихся под влиянием внешних воздействий: давления, температуры, влажности, pH среды, электрического или магнитного поля и др.
4. наночастица (англ. nanoparticle) — изолированный твердофазный объект, имеющий отчетливо выраженную границу с окружающей средой, размеры которого во всех трех измерениях составляют от 1 до 100 нм.
5. нановолокно (англ. nanofiber) — объект, два характеристических размера которого находятся в нанодиапазоне (~1–100 нм) и существенно меньше третьего.
6. нанокомпозит (англ. nanocomposite) — композитный материал, в котором хотя бы одна из фаз имеет усредненный размер обособленных элементов (частиц, кристаллитов, волокон, пластин и т. д.) менее 100 нм хотя бы в одном измерении.
7. композит иначе композиционный материал (англ. composite) — материал, состоящий из двух или более фаз с четкой межфазной границей.
8. наноструктура (англ. nanostructure) — совокупность наноразмерных объектов искусственного или естественного происхождения, свойства которой определяются не толькоразмером структурных элементов, но и их взаимным расположением в пространстве.
9. спинтроника иначе магнетоэлектроника; спиновая электроника (англ.spintronics или magneto electronics) — область твердотельной электроники, основанная на эффекте спинового токопереноса (спин-поляризованного транспорта).
10. транзистор (англ. transistor) — (от англ. transfer - перенос и resistor - сопротивление) — трехэлектродный полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.
11. актуатор иначе актюатор (англ. actuator) — исполнительное устройство или его активный элемент, преобразующий один вид энергии (электрическую, магнитную, тепловую, химическую) в другой (чаще всего — в механическую), что приводит к выполнению определенного действия, заданного управляющим сигналом.
12. диэлектрик (англ. dielectric) — термин, введенный М. Фарадеем и используемый для обозначения сред, в которые проникает электростатическое поле (в отличие от металлов, экранирующих это поле).
13. нанометрология (англ. nanometrology) — раздел метрологии, включающий разработку теории, методов и инструментов для измерения параметров объектов, линейные размеры которых находятся в нанодиапазоне.
14. нанодиапазон (англ. nanoscale) — интервал пространственной шкалы 1–100 нм, в котором реализуются основные взаимодействия в наносистемах и которым ограничиваются сверху и снизу геометрические размеры нанообъектов по одному или нескольким измерениям.
15. зерно (англ. grain) — однородная часть твердого тела, имеющая отчетливо различимые границы, наблюдаемые при помощи оптической или электронной микроскопии; единичный элемент поликристаллического материала.
16. нанотехнология (англ. nanotechnology) — данный термин в настоящее время не имеет единого, признаваемого всеми определения. Под термином «нанотехнологии» РОСНАНО понимает совокупность технологических методов и приемов, используемых при изучении, проектировании и производстве материалов, устройств и систем, включающих целенаправленный контроль и управление строением, химическим составом и взаимодействием составляющих их отдельных наномасштабных элементов (с размерами порядка 100 нм и меньше как минимум по одному из измерений), которые приводят к улучшению, либо появлению дополнительных эксплуатационных и/или потребительских характеристик и свойств получаемых продуктов.
17. агломерат (англ. agglomerate) — совокупность частиц, прочно удерживаемых между собой.
18. агломерация иначе агрегация (англ. agglomeration или aggregation) —пространственная группировка и адгезия дисперсных частиц, в результате которой образуются более крупные по размерам «вторичные» частицы.
19. квантовая точка сокр., КТ (англ. quantum dot или nano-dot сокр., QD; ND) — частица материала с размером, близким к длине волны электрона в этом материале (обычно размером 1–10 нм), внутри которой потенциальная энергия электрона ниже, чем за его пределами, таким образом, движение электрона ограничено во всех трех измерениях.
20. гетероструктура, полупроводниковая (англ. semiconductor heterostructure) — искусственная структура, изготовленная из двух или более различных полупроводниковых веществ (материалов), в которой важная роль принадлежит переходному слою, т. е. границе раздела двух веществ (материалов).
21. нанокристалл (англ. nanocrystal) — кристалл, размеры которого по одному или нескольким измерениям лежат в нанодиапазоне.
22. квантовая яма (англ. quantum well) — тонкий плоский слой полупроводникового материала (обычно толщиной 1–10 нм) внутри которого потенциальная энергия электрона ниже чем за его пределами, таким образом, движение электрона ограничено в одном измерении. Движение в направлении, перпендикулярном плоскости квантовой ямы, квантуется, и его энергия может принимать лишь некоторые дискретные значения.
23. транзистор, одноэлектронный (англ. single electron transistor сокр., SET) — трехэлектродный туннельный прибор, состоящий из проводящего островка с малой собственной емкостью, соединенного с истоковым и стоковым электродами туннельными переходами с малой емкостью и проводимостью, и имеющего емкостную связь с электродом затвора.
24. матричная изоляция (англ. matrix isolation) — экспериментальная методика, используемая в химии и физике для предотвращения взаимодействия активных частиц между собой и с окружающей средой путем помещения (погружения) их в инертную матрицу или улавливания их с помощью такой матрицы.
25. нанопроволока (англ. nanowire) — проводящая анизотропнаяквазиодномерная структура, два внешних размера которой (например, ширина, толщина) существенно меньше третьего (длина) и находятся в нанодиапазоне.
26. нанотрубка иначе тубулярные наноструктуры; нанотубулены (англ.nanotube) — топологическая форма наночастиц в виде полого наностержня.
27. наностержень (англ. nanorod) — нанообъект, у которого два размерных параметра находятся в диапазоне 1–100 нм, а третий — длина — несколько больше.
28. ультрацентрифуга (англ. ultracentrifuge) — прибор для разделения частиц размером менее 100 нм (коллоидов, субклеточных частиц, макромолекулбелков, нуклеиновых кислот, липидов, полисахаридов, синтетических полимеров и пр.), взвешенных или растворенных в жидкости. Это достигается вращением ротора, создающего центробежное поле с ускорением, на много порядков превышающим ускорение силы тяжести.
29. нанолента (англ. nanoribbon, nanobelt) — нановолокно с прямоугольным поперечным сечением, соотношение поперечных размеров которого больше, чем 2: 1.
30. островок (англ. island) — в физике поверхности — термин, обозначающий группу атомов на поверхности, связанных между собой.
31. поверхность (англ. surface) — граница раздела двух фаз (твердого тела, жидкости, газа).
32. поверхностная релаксация (англ. surface relaxation) — модификация (перестройка) приповерхностного слоя кристалла, при которой атомная структура верхнего слоя остается той же, что и у соответствующих атомных плоскостей в объеме, но расстояние между первым и вторым слоем или их взаимное положение отличаются от таковых в объеме.
33. поверхностная реконструкция (англ. surface reconstruction) —процесс модификации (перестройки) поверхностного слоя кристалла, в результате которой его атомная структура существенным образом отличается от структуры соответствующих атомных плоскостей в объеме кристалла. Термин «реконструкция» используется также для обозначения самой реконструированной поверхности.
34. туннелирование (англ. tunneling) — проявление туннельного эффекта, когда частица, первоначально локализованная по одну сторону потенциального барьера (области, пересечение которой недоступно для классической частицы, поскольку потенциальная энергия превышает ее полную энергию), может с отличной от нуля вероятностью проникнуть через барьер и быть обнаруженной по другую его сторону.
35. жидкий кристалл иначе мезофаза (англ. liquid crystal) — разновидность жидкого состояния вещества, которое характеризуется определенным позиционным и/или ориентационным упорядочением молекул, и в котором сочетается присущая жидкости текучесть с анизотропией ряда свойств, характерной для кристаллов.
36. анизотропия (англ. anisotropy) — (от греч. ánisos — неравный и tróроs — направление) — зависимость свойств вещества или материала от направления.
37. наноструктура, магнитная (англ. magnetic nanostructure) —искусственная гетероструктура, обладающая гигантским или туннельным магнетосопротивлением и представляющая собой многослойную пленку из чередующихся слоев ферромагнитного и немагнитного материала.
38. магнетосопротивление, туннельное иначе туннельное магнитосопротивление (англ. tunnel magnetoresistance сокр., TMR) — эффект изменения электрического сопротивления между двумя областямиферромагнетика, разделенными тонким слоем диэлектрика, вследствиетуннельных переходов спин-поляризованных носителей под действием магнитного поля.
39. ферромагнетик (англ. ferromagnetic) — вещество или материал, в котором наблюдается явление ферромагнетизма, т. е. появление спонтанной намагниченности при температуре ниже температуры Кюри.
40. самосборка (англ. self-assembly) — процесс образования упорядоченной надмолекулярной структуры или среды, в котором в практически неизменном виде принимают участие только компоненты (элементы) исходной структуры, аддитивно составляющие или «собирающие», как части целого, результирующую сложную структуру.

42. кубит иначе quantum bit; q-бит (англ. qubit) — квантовый разряд или наименьший элемент для хранения информации в квантовом компьютере.

1. сверхпроводимость (англ. superconductivity) — явление отсутствия (равенства нулю) сопротивления постоянному току некоторых материалов ниже определенной температуры T_c , называемой температурой перехода в сверхпроводящее состояние (критической температурой), сопровождающееся выталкиванием слабого (меньше критического поля H_c) магнитного поля из объема материала при переходе его в сверхпроводящее состояние (эффект Мейснера–Оксенфельда).
2. эффект Джозефсона (англ. Josephson effect) — эффект протеканиясверхпроводящего тока через тонкую изолирующую прослойку между двумя сверхпроводниками (т.н. джозефсоновский контакт или джозефсоновский переход).
3. квантовый компьютер сокр., КК иначе квантовое вычислительное устройство (англ. quantum computer) — вычислительное устройство, в котором выполнение операций с данными базируется на использовании квантово-механических эффектов, таких, как суперпозиция (нахождение в нескольких состояниях одновременно с некоторой вероятностью) и запутанность квантовых состояний (связанность волновых функций).
4. светодиод (англ. light emitting diode сокр., LED) — полупроводниковыйисточник некогерентного оптического излучения, принцип действия которого основан на явлении электролюминесценции.
5. метаматериал (англ. metamaterial) — искусственный композитный структурированный материал, электромагнитные свойства которого существенно отличаются от свойств компонентов, входящих в его состав, и определяются особым упорядочением и структурой компонентов (кольцеподобной, рулонной, проводной и т. д.).
6. нанофотоника иначе нанооптика (англ. nanophotonics) — раздел фотоники, занимающийся изучением физических явлений, возникающих при взаимодействии фотонов с объектами нанометровых размеров, и практическим применением указанных явлений.
7. фотоника (англ. photonics) — область науки и техники, которая занимается изучением фундаментальных и прикладных аспектов генерации, передачи, модуляции, усиления, обработки, детектирования и распознавания оптических сигналов и полей, а также применением указанных явлений при разработке и создании оптических, электрооптических и оптоэлектронных устройств различного назначения.
8. фотонная интегральная схема сокр., ФИС иначе оптическая интегральная схема (англ. photonic integrated circuit или integrated optical circuit сокр., PIC) — многокомпонентное фотонное устройство, изготовленное на плоской подложке и выполняющее функции обработки оптических сигналов.
9. фотонный кристалл, планарный сокр., ПФК иначе пленочный фотонный кристалл (англ. slab photonic crystal) — двумерный фотонный кристалл на основе планарного оптического волновода, структура которого характеризуется периодическим изменением показателя преломления в двух направлениях в плоскости волновода.
10. волновод, оптический иначе световод (англ. optical waveguide) —волновод для направленной передачи световых сигналов или световой энергии, а также для локализации световых волн в активных областях различных фотонных устройств.

Поиск по сайту: