 |
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция
Выводы: цель достигнута
|
Читайте также: |
Используется в приборостроении для изготовления диэлектрических деталей.
4. Описание метода измерения:
Для определения диэлектрических потерь в данной лабораторной работе используется контурный резонансный метод измерения параметров ε и tg δ диэлектрика, называемый методом вариации реактивной проводимости. Суть метода заключается в относительном сравнении величины емкостей Сд/C0 конденсатора на резонансной частоте. При этом емкость Сд определяется, когда между пластинами конденсатора находится исследуемый образец диэлектрика, а емкость С0, когда вместо диэлектрика – воздушный слой. Для определения потерь диэлектрик удобно рассматривать как конденсатор в цепи переменного тока.
5. Таблицы измерений и расчетов:
Результаты измерений и вычислений табл. 5.1
| Материал | Q2 | C2, пФ | Сх, пФ | D, см | h, см | ε | tg δ |
| Фторопласт №1 | 353,9 | 55,2 | 0,5 | 3,97 | 0,0027 | ||
| Эбонит №2 | 352,8 | 56,3 | 0,5 | 4,05 | 0,0123 | ||
| Винипласт №3 | 355,8 | 53,3 | 0,6 | 4,61 | 0,0177 | ||
| Органическое стекло №4 | 349,2 | 59,9 | 0,6 | 5,18 | 0,0158 |
Q1= 170 C1= 409,1 пФ
| Материал | ε | tgδ |
| Винипласт | 4,3 – 4,0 | 0,02 – 0,05 |
| Оргстекло | 4,7 – 3,9 | 0,018 – 0,06 |
| Фторопласт | 3,3 – 2,2 | 0,003 |
| Эбонит | 3,67-3 | 0,014 |
Табличные значения диэлектрической проницаемости и тангенса для исследуемых материалов табл.5.2
6. Расчётные формулы:
(1)
(2), где h, D – соответственно, толщина и диаметр исследуемого образца диэлектрика, см; Сх – емкость образца.
(3), где Сх – емкость образца, пФ; С1 – резонансная емкость контура при отключенном образце; Q1, Q2 – добротность контура, соответственно, при отключенном и включенном образце
7. Примеры вычислений:
По формуле (1):
Сx = 409,1 – 353,9 = 55,2 пФ
По формуле (2):
ɛ = 14,4*55,2*0,5*10-2/1= 3,97
По формуле (3):
= 409,1*(170-160)/(55,2*170*160) = 0,0027
Выводы: цель достигнута.
Я исследовала диэлектрическую проницаемость и диэлектрические потери твердых диэлектриков, помещенных в электрическое поле.
В ходе работы получены следующие результаты:
1) В соответствии с проведенным опытом, обнаружили, что все рассматриваемые диэлектрики являются низкочастотными, т.к. тангенсы угла диэлектрических потерь исследуемых образцов превышают значение 0.001.
2) Полученные значения имеют некоторые расхождения с общепризнанными, указанными в таблице, можно объяснить неточностью приборов из-за их долгого срока работы, а также некоторым износом исследуемых материалов.
В качестве диэлектриков конденсаторов обычных типов лучше всего в данном опыте использовать либо эбонит, либо фторопласт, т.к. диэлектрические проницаемости данных материалов обладают самыми низкими значениями, чтобы не вносить в схемы паразитных ёмкостей.
Поиск по сайту: