АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Полевые транзисторы на основе металлооксидной пленки

Читайте также:
  1. II. Разработка макета женского исторического костюма в масштабе 1:4 на основе исторического источника
  2. VI. Педагогические технологии на основе эффективности управления и организации учебного процесса
  3. VII. Педагогические технологии на основе дидактического усовершенствования и реконструирования материала
  4. А) Существительные с неподвижным ударением на основе.
  5. А. Однофазное прикосновение в сетях с заземленной нейтралью
  6. Алгоритм цифровой подписи на основе эллиптических кривых ECDSA
  7. Анализ деловой активности (на основе данных бухгалтерского баланса и отчета о прибылях и убытках)
  8. Анализ издержек на основе системы «Директ-костинг».
  9. Анализ ликвидности баланса на основе группировки активов и пассивов.
  10. Анализ макроэкономических результатов денежно-кредитной политики на основе кейнсианской модели общего макроэкономического равновесия
  11. Анализ макроэкономических результатов фискальной политики на основе кейнсианской модели общего макроэкономического равновесия
  12. Анализ опасности прикосновения к токоведущим частям в трёхфазных сетях с изолированной и заземлённой нейтралью.

Управление током, протекающим через полевой транзистор на основе металлооксидной пленки (МОП-транзистор или MOSFET), также осуществляется с помощью электрического поля, прикладываемого к затвору.

Обычно подложка контактирует с наиболее отрицательно смещенным выводом транзистора, подключенным к истоку. В трехвыводных транзисторах подложка внутренне соединена с истоком. N-канальный транзистор имеет следующее обозначение: стрелка направлена внутрь значка; р-канальный транзистор имеет исходящую из значка стрелку. N-канальный и р-канальный МОП-транзисторы имеют различную полярность управляющих напряжений.

В Electronics Workbench имеется 8 типов МОП-транзисторов:

4 типа МОП-транзисторов со встроенным каналом,

4 типа МОП-транзисторов с индуцированным каналом.

МОП-транзистор со встроенным каналом (Depletion MOSFETs)

Подобно полевым транзисторам с управляющим р-n переходом (JFET), МОП-транзистор со встроенным каналом состоит из протяженной области полупроводника, называемой каналом. Для p-канального транзистора эта область является полупроводником p-типа, для n-канального транзистора – n-типа. Свободные электроны от истока до стока должны пройти через этот узкий канал, заканчивающийся с обеих сторон электродами, называемыми истоком и стоком.

Металлический затвор МОП-транзистора изолирован от канала тонким слоем двуокиси кремния так, что ток затвора во время работы пренебрежимо мал. Чем более отрицательное напряжение затвор-исток приложено к n-канальному транзистору, тем больше канал обедняется электронами проводимости, ток стока при этом уменьшается. При значении напряжения затвор-исток Vgs(off) канал полностью обеднен, и ток от истока к стоку прекращается. Напряжение Vgs(off) называется напряжением отсечки. С другой стороны, чем более положительно напряжение затвор-исток, тем больше размер канала, что приводит к увеличению тока. Р-канальный транзистор работает аналогично, но при противоположных полярностях напряжения

Трехвыводной N-канальный MOSFET

со встроенным каналом

 

Трехвыводной P-канальный MOSFET
со встроенным каналом

 

 

Четырехвыводной N-канальный MOSFET
со встроенным каналом

 

 

Четырехвыводной P-канальный MOSFET
со встроенным каналом

Эти МОП-транзисторы не имеют физического канала между истоком и стоком, как МОП-транзисторы со встроенным каналом. Вместо этого область проводимости может расширяться на весь слой двуокиси кремния.

МОП-транзистор с индуцированным каналом работает только при положительном напряжении исток-затвор. Положительное напряжение исток-завтвор, превышающее минимальное пороговое значение (Vto), создает инверсионный слой в области проводимости, смежной со слоем двуокиси кремния. Проводимость этого индуцированного канала увеличивается при увеличении положительного напряжения затвор-исток. МОП-транзисторы с индуцированным каналом используются преимущественно в цифровых схемах и схемах с высокой степенью интеграции (БИС).

Трехвыводной N-канальный MOSFET
с индуцированным каналом

 

 

Трехвыводной P-канальный MOSFET
с индуцированным каналом

 

 

Четырехвыводной N-канальный MOSFET
с индуцированным каналом

 

Четырехвыводной P-канальный MOSFET
с индуцированным каналом

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)