АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Гибридные интегральные микросхемы

Читайте также:
  1. Гибридные и конвертируемые ценные бумаги
  2. Гибридные исследования
  3. Глава 7. Интегральные микросхемы.
  4. Другие интегральные показатели
  5. Интегральные критерии качества
  6. Интегральные микросхемы регистров (примеры)
  7. Микросхемы ОЗУ
  8. Микросхемы счётчиков К155ИЕ2, К155ИЕ4 и К155ИЕ5,
  9. Статья 475. Срок действия имущественных прав интеллектуальной собственности на компонование интегральной микросхемы
  10. Топология интегральной микросхемы - это пространственное расположение всех компонентов интегральной микросхемы, воплощенной в полупроводниковом носителе.
  11. Характеристики и интегральные показатели

Пассивные элементы и все соединения гибридных интегральных схем представляют собой пленки из различных материалов, нанесенные на стеклянную или керамическую пластинку (подложку), а в качестве активных элементов применяются навесные дискретные полупроводниковые приборы. В таких схемах использовано достоинство пленочной технологии в сочетании с возможностями технологии полупроводниковых приборов.

На рис. 1, а в качестве примера приведена гибридная схема, содержащая нихромовые резисторы, золотые проводники и навесные транзисторы и диоды. Для изготовления такой схемы необходимы специальные фигурные трафареты-маски, которые позволяют наносить пленочные рисунки нужных размеров в определенных местах.

Сначала создаются соединения. Для этого через трафарет напыляют или наносят каким-либо другим способом полоски серебра, алюминия или золота. Затем через другой трафарет напыляют резисторы, представляющие собой пленочные полоски тантала, хрома или специальных сплавов. Варьируя как напыляемый материал, так и толщину слоя, можно менять номиналы резисторов. Для изготовления конденсатора через специальный трафарет напыляется металл. Затем меняется трафарет и напыляется диэлектрик, а затем снова металл.

После нанесения всех слоев устанавливаются диоды и транзисторы. Дискретные компоненты по размерам должны быть сравнимы с тонкопленочными элементами, поэтому в гибридных схемах применяют транзисторы и диоды, размеры которых либо максимально уменьшены, либо эти компоненты используются без корпуса. Соединение навесных деталей с элементами микросхемы может быть выполнено одним из известных методов: термокомпрессией, ультразвуковой сваркой, лучом лазера и др. При этом выводы навесных компонентов соединяются с металлизированными площадками на подложке.

Рисунок 64 - Гибридные микросхемы.

 

Существуют различные варианты конструктивного исполнения гибридных схем. Однако наибольшее признание получила планарная конструкция. Для защиты от внешних воздействий обычно применяются металлические и керамические корпусы с металлическими выводами (рисунок 64,б).

На рисунке 64, в показана гибридная схема, в которой в качестве навесных элементов применены бескорпусные полупроводниковые ИС. Такие гибридные микросхемы называются многокристальными.



Достоинствами гибридно-пленочной технологии являются высокая гибкость, т. е. возможность большого выбора различных материалов и методов изготовления пленочных элементов, и сравнительная простота разработки и изготовления большинства схем в гибридном исполнении. При изготовлении пассивных элементов гибридных схем применяется тонко- или толстопленочная технология. К толстым пленкам относятся пленки толщиной единицы — сотни микрометров, к тонким — толщиной до нескольких микрометров. С точки зрения применения пленки могут быть подразделены на проводящие, резистивные и диэлектрические. Самостоятельно пленочные микросхемы применяются очень редко в качестве резисторных или резисторно - емкостных ИС. Обычно они используются как основа гибридных ИС.

Процесс изготовления гибридных ИС состоит из следующих основных этапов: изготовление подложки, фотошаблонов и пленочной пассивной части ИС; подгонка резисторов; монтаж бескорпусных элементов и герметизация; контроль.

Контактные площадки, созданные на подложке ГИС, необходимы для обеспечения взаимных соединений плёночных деталей, а также для подключений тонких проводников, которые осуществляют электрические контакты между тонкоплёночными и внешними дискретными компонентами.

Активные компоненты, которые подключают к контактным площадкам, выполняют с жёсткими или с гибкими выводами. Детали с жёсткими выводами наиболее удобны для автоматической сборки ГИС, однако разработка таких изделий связана с определёнными трудностями.

Конденсаторы с ёмкостью более 20 нФ и катушки индуктивности обычно не выполняют на подложке ГИС, а задействуют как навесные компоненты. В больших ГИС – сокращённо БГИС – в качестве внешних деталей применяют бескорпусные полупроводниковые микросхемы. Соединение компонентов ГИС с выводами корпуса осуществляют пайкой, микросваркой и т.п.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 |


Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)