АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Основные параметры МЛТ резисторов

Читайте также:
  1. I. ОСНОВНЫЕ ЦЕЛИ, ЗАДАЧИ И ПРИНЦИПЫ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ КПРФ, ПРАВА И ОБЯЗАННОСТИ ПАРТИИ
  2. II. КРИТИКА: основные правила
  3. II. Основные модели демократического транзита.
  4. III. Основные задачи Управления
  5. III. Основные обязанности администрации
  6. IV. Основные обязанности работников театра
  7. SCADA. Назначение. Возможности. Примеры применения в АСУТП. Основные пакеты.
  8. Supinum. Perfectum indicativi passivi. Четыре основные формы глагола
  9. А. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА КОРРЕКЦИЙ
  10. Автомобильный транспорт, его основные характеристики и показатели.
  11. Алфавит Maple-языка и его синтаксис. Основные объекты (определение, ввод, действия с ними). Числа. Обыкновенные дроби.
  12. Астрономические и календарные параметры ЗПП

Элементная база радиоэлектроники. Классификация

По функциональному признаку РЭС делят на:

1.Антенно-фидерные устройства,2.Передающие устройства, 3.Приёмные устройства 4. Устройства обработки информации

Для РЭС характерны следующие виды преобразования сигналов:

1.Излучение и приём сигнала на антенну. 2.Усиление сигнала. 3.Фильтрация сигнала. 4.Генерация колебаний разной формы. 5.Модуляция и демодуляция. 6.Запоминание информации7.Коммутация и соединение цепей.

В состав элементной базы РЭС входят:

1.Активные дискретные элементы (транзисторы, диоды и др.)

2.Пассивные дискретные (катушки индуктивности, конденсаторы, резисторы)

3.Интегральные микросхемы.

4.Устройства функциональной электроники.

Основные параметры МЛТ резисторов.

1) Номинальное сопротивление Rном, Ом

2) допустимое отклонение от номинала ±∆R

3) Номинальная мощность рассеивания Рном, равна

4) Предельное рабочее напряжение Uпред

5) Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) характеризует относительное изменение сопротивления при изменении температуры:

6) Этот коэффициент может быть как положительным, так и отрицательным.

7) Коэффициент старения βR характеризует изменение сопротивления, которое вызывается структурными изменениями резистивного элемента за счет процессов окисления, кристаллизации и т. д:

8) ЭДС шумов резистора.

Тепловой шум характеризуется непрерывным, широким и практически равномерным спектром. Величина ЭДС тепловых шумов определяется соотношением

где К= 1,38-10-23Дж/ К— постоянная Больцмана;

Т — абсолютная температура, К;

R — сопротивление, Ом;

∆f— полоса частот, в которой измеряются шумы.

При комнатной температуре (T= 300 К)

9) Помимо тепловых шумов существует токовый шум, возникающий при прохождении через резистор тока. Поскольку значения тока, протекающего через резистор, зависит от значения приложенного напряжения U, то в первом приближении можно считать

где Ki — коэффициент, зависящий от конструкции резистора, свойств резистивного слоя и полосы частот.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)