|
|||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
N-типа – донорная
Бор 2. Чему соответствует величина Е, которая представлена на диаграмме? 3. В каких единицах измеряется величина Е, которая представлена на диаграмме? 4. Что означает величина hW, представленной на рисунке 5. Сколько электронов может находиться одновременно на одном энергетическом уровне? 6. Каким материалам соответствуют энергетические диаграммы, изображенные на рисунке Рис. 1а 7. Каким материалам соответствуют энергетические диаграммы, изображенные на рисунке рис.1 б? 8. Каким материалам соответствуют энергетические диаграммы, изображенные на рисунке 1в? 9. Приведите в соответствие название энергетических зон, изображенных на рисунке: 10. Работа выхода электрона это 11. Сродство к электрону это 12. Уровень Ферми это 13. Чему соответствуют энергии χ и φ? 14. Идеальный полупроводник, в котором отсутствуют примеси и дефекты, 15. Образование в полупроводнике «дырки» связано с 16. В собственном полупроводнике 17. Как называется примесь, которой легируют собственный полупроводник для получения полупроводника n-типа – донорная 18. В качестве каких примесей используют следующие химические элементы 19. При комнатной температуре орбиты электронов донорных примесей располагаются в запрещенной зоне 20. При комнатной температуре орбиты электронов акцепторных примесей располагаются в запрещенной зоне 21. Какое отношение основных носителей заряда к неосновным получается при легировании полупроводников? 22. Основные механизмы движения зарядов в материалах 23. Кто автор уравнения, описывающего процессы диффузии? 24. Кто автор уравнения, описывающего процессы дрейфа? 25. Скорость дрейфа – это 26. Подвижность заряженных частиц есть коэффициент пропорциональности между скоростью дрейфа и 27. Выберите соотношения, которые определяют полную плотность тока при наличии разности концентраций носителей зарядов и внешнего электрического поля, где jр,nдиф. – соответственно дырочная и электронная составляющие диффузионной плотности тока. jр,n др. – соответственно дырочная и электронная составляющие дрейфовой плотности тока. Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.) |