Все суммы

28. Как называется граница соединения полупроводников с различным типом проводимости?
Металлургическая

29. Какой физический процесс первичен при формировании pn-перехода?
Диффузия

30. Какой физический процесс вторичен при формировании pn-перехода?
Дрейф

31. Как соотносятся диффузионный и дрейфовый токи в pn-переходе при отсутствии смещения?
Диффузионный равен дрейфовому

32. За счет каких процессов формируется контактная разность потенциалов в pn-переходе?
Обеднение основных носителей зарядов

33. Чему равна контактная разность потенциалов для Ge и Si?
Ge – 0.2-0.4 В
Si – 0.5-0.7 В

34. В каком случае область пространственного заряда (ОПЗ) будет в основном располагаться в р-области?
Когда концентрация основных носителей зарядов в р-области меньше чем в n-области

35. Как называется pn-переход, у которого концентрация основных носителей зарядов в одной области выше чем в другой?
Несимметричный

36. Какая область pn-перехода называется базовой?
С пониженной концентрацией основных носителей заряда

37. Ширина pn-перехода определяется
Область Пространственного Заряда

38. Какое смещение pn-перехода называется прямым?
Когда к p-области прикладывают положительный потенциал

39. Как изменяется напряженность поля в зоне pn-перехода при прямом смещении?
Уменьшается

40. Как изменяется ширина pn-перехода при прямом смещении?
Уменьшается

41. Как изменяется контактная разность потенциалов в зоне pn-перехода при прямом смещении?
Уменьшается

42. Как изменяется величина диффузионного тока в зоне pn-перехода при прямом смещении?
Увеличивается

43. Как изменяется величина дрейфового тока в зоне pn-перехода при прямом смещении?
Уменьшается

44. Какое смещение pn-перехода называется обратным?
Когда к p-области прикладывают отрицательный потенциал

45. Как изменяется напряженность поля в зоне pn-перехода при обратном смещении?
Увеличивается

46. Как изменяется ширина pn-перехода при обратном смещении?
Увеличивается

47. Как изменяется контактная разность потенциалов в зоне pn-перехода при обратном смещении?
Увеличивается

48. Как изменяется величина диффузионного тока в зоне pn-перехода при обратном смещении?
Уменьшается

49. Как изменяется величина дрейфового тока в зоне pn-перехода при обратном смещении?
Увеличивается

50. Чем обусловлена барьерная емкость?
Нескомпенсированными зарядами

51. Чем обусловлена диффузионная емкость?
Неосновными носителями зарядов

52. При каком смещении pn-перехода в большей степени проявляется барьерная емкость?
При обратном

53. При каком смещении pn-перехода в большей степени проявляется диффузионная емкость?
При прямом

54. Выберите ВАХ диода

55. Как называются ветви А и В?
В – прямая
А – обратная

56. По какому закону изменяется ток прямой ветви?

57. Как определяется динамическое сопротивление диода?
R=dU/dI

R=∆U/∆I

58. Как определяется статическое сопротивление диода?
R=U_=/I_=

59. Каким физическим процессам соответствуют участки 1-5 ВАХ диода?

Участок 1 - тепловой пробой
Участок 2 – диод проводит диффузионный
Участок 3 – диод проводит дрейфовый

Участок 4 – электрический пробой
Участок 5 – тепловой пробой

60. Какие виды электрического пробоя Вы знаете?
Лавинный
Туннельный

61. В какой области pn-перехода осуществляется лавинный пробой?
обедненной основными носителями зарядов

62. За счет чего формируется лавинный процесс?
За счет энергии свободных электронов

63. Обратим ли электрический пробой?
Да

64. Туннельный пробой это
Переход электронов из валентной зоны полупроводника одного типа в зону проводимости полупроводника другого типа

65. Выберите условия возникновения туннельного пробоя в pn-переходе
Узкий pn-переход
Большая напряженность

Поиск по сайту: