АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция
|
ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ
Полупроводниковых диоды и тиристоры
Диодом называют полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим переходом и двумя электрическими выводами (контактами).
В качестве выпрямляющего электрического перехода (П вып)в полупроводниковых диодах может быть использован p-n - переход (анизотипный гомо- или гетеропереход) или выпрямляющий переход металл – полупроводник (переход Шоттки). В диоде с p-n переходом или с гетеропереходом кроме выпрямляющего перехода должно быть два невыпрямляющих (омических)
| Рис. 1. Структура и графическое изображение полупроводниковых диодов с: а) p-n переходом; б) выпрямляющим контактом металл – полупроводник. П вып – выпрямляющие электрические переходы; П ом – невыпрямляющие (омические) переходы
|
перехода металл – полупролводник(П ом), через которые p - и n -области диода соединены с электрическими выводами М (рис.1,а). В диоде с переходом Шоттки имется один омический переход (рис.1,б).
Обычно p - n - переход создают на основе монокристалла кремния или германия (Si и Ge – элементы IV группы), внедряя акцепторные (элементы III группы: индий, галлий, алюминий, бор) и донорные (элементы V группы: сурьма, фосфор, мышьяк) примеси. Если концентрации акцепторных N a и донорных N d примесей равны, то p - n - переход называется симметричным. Для изготовления полупроводниковых диодов, как правило, используют несимметричные p - n - переходы. В них имеется низкоомная область эмиттера с большой концентрацией атомов примеси N = 1017¸1019 см-3 и высокоомная область базы с низкой концентрацией атомов примеси N = 1014¸1015 см-3. На рисунках эмиттерные области часто обозначают значками: p + _ эмиттер дырок и n + – эмиттер электронов. Так, на рис. 1, а представлен несимметричный p - n - переход с эмиттером электронов. Ток через несимметричный p - n - переход создается одним типом носителей. Вклад второго типа носителей в общий ток является несущественным.
ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ
| Рис.3. Временные зависимости токов и напряжений импульсного диода при работе в схемах с генератором: а) напряжений, б) токов
| б) 
|
Импульсный полупроводниковый диод имеет малую длительность переходных процессов и предназначен для применения в импульсных режимах работы. Основные назначения импульсных диодов – работа в качестве коммутирующего элемента или для детектирования высокочастотных сигналов. Условия работы импульсных диодов обычно соответствуют высокому уровню инжекции, т.е. относительно большим прямым токам. Поэтому свойства и параметры импульсных диодов определяются переходными процессами. При переключении диода с прямого напряжения на обратное в начальный момент времени через диод идет большой обратный ток, ограниченный в основном сопротивлением базы рис.3,а. С течением времени накопленные в базе неосновные носители заряда рекомбинируют или уходят из базы через p-n -переход, после чего обратный ток уменьшается до своего стационарного значения.
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | Поиск по сайту:
|
