Полупроводниковые приборы (ГОСТ 2.730-73)

Основой полупроводниковых приборов является так называемый электронно-дырочный переход

(р — n -переход). Главное свойство р — n -перехода — односторонняя проводимость: от области р (анод) к области п (катод). Эту идею наглядно передает и условное графическое обозначение полупроводниковых приборов.

А. Элементы полупроводниковых приборов (табл. 2.10.1)

Таблица 2.10.1

1. Электрод: а) база с одним выводом; б) база с двумя выводами; в) Р - эмиттер с N - областью г) N-эмиттер с

Р - бластью; д) коллектор с базой; в) четыре P-эмиттера c N - областью.

2. Область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью (переход от Р - области к N - области и наоборот).

3. Область с собственной электропроводностью (I-область): а) между областями c электропроводимостью разного типа PIN или NIP; б) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIP; в) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP; г) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN.

4. Канал проводимости для полевых транзисторов: а) обогащенного типа; б) обедненного типа.

5. Переходы: а)PN-типа; б) NP- типа.

6. P-канал на подложке N-типа, обогащенный тип.

7. N-канал на подложке Р-типа, обогащенный тип.

8.Изолированный затвор.

9. Исток и сток (линия истока изображена на продолжении линии затвора).

10. Выводы полупроводниковых приборов: а) электрически несоединенные с корпусом 6) электрически соединенные с корпусом.

11. Внешний вывод корпуса.

На рисунке 2.10.1 приведен фрагмент электрической схемы с изображением УГО полупроводниковых приборов.

Б. Диоды (табл. 2.10.2)

Условное графическое обозначение диода - треугольник (символ анода) вместе с пересекающей его линией электрической связи образует подобие стрелки, указывающей направление проводимости. Короткая черточка, перпендикулярная этой стрелке, символизирует катод.

1. Диод: а) общее обозначение; б) туннельный; в) обращенный; г) стабилитрон (лавинный выпрямительный диод) односторонний; д) стабилитрон (диод выпрямительный лавинный) двусторонний; е) теплоэлектрический; ж) варикап; з) двунаправленный; и) диод Шотки; к) модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными выводами.

2. Тиристор (базовый символ диода использован и в условном графическом обозначением тиристоров — полупроводниковых приборов с тремя р — n -переходами (структура р - п - р - п), используемых в качестве переключающих диодов): а) диодный, запираемый в обратном направлении; б) диодный, проводящий в обратном направлении; в) диодный симметричный; г) триодный, общее обозначение; д) триод запираемый в обратном направлении с управлением по аноду; е) триодный, запираемый в обратном направлении с управлением по катоду; ж) триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый с управлением по аноду; з) триодный, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с управлением по катоду;

и) триодный, проводящий в обратном направлении, с управлением по аноду; к) триодный, проводящий в обратном направлении, с управлением по катоду; л) триодный симметричный (двунаправленный); м) триодный, запираемый в обратном направлении.

На рис. 2.10.2 приведен фрагмент схемы с изображением УГО диодов.

Таблица 2.10.2

В. Транзисторы (табл. 2.10.3)

Транзистор содержит два р -n -перехода: один из них соединяет базу с эммитером эмиттерный переход), другой - с коллектором (коллекторный переход).

Об электропроводности базы судят, по символу эмиттера: если его стрелка направлена к базе, то это означает, что эмиттер имеет электропроводность типа р, а база - типа п; если же стрелка направлена в противоположную сторону, электропроводность эмиттера и базы обратная (соответственно п- р). Поскольку электропроводность коллектора та же, что и эмиттера, стрелку на символе коллектора не изображают.

1. Транзистор cPN-переходом: а) типа PNP; б) типа PNP с выводом от внутреннего экрана в) типа NPN с коллектором, электрически соединенным с корпусом; г) лавинный типа NPN (при повороте УГО транзистора положение знака эффекта лавинного пробоя должно оставаться неизменным); д) однопереходный с N базой е) однопереходный сP-базой; ж) типа PNP с двумя базовыми выводами з) типа PNIP; и) типа PNIN с выводом от i-области; к) многоэмиттерный PNP
2. Полевой транзистор: а) с каналом N-типа; б) с каналом Р- типа; в) с изолированный затвором обобщенного типа с Р- каналом; г) с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом; д) с изолированным затвором обедненного типа с P-каналом е) с изолированными затворами обедненного типа с N-каналом; ж) с изолированный затвором обогащенного типа с Р- каналом с выводом от подложки; з) с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом и с внутренним соединением подложки и истока; и) с двумя изолированными затворами обедненного типа с N-каналом и с выводом от подложки.

Г. Фоточувствительные, излучающие и прочие полупроводниковые приборы (табл. 2.10.4)

1. Фоточувствительные и излучающие приборы: а) фоторезистор, общее обозначение б) фоторезистор дифференциальный; в) фотодиод; г) фототиристор диодный д) фоторезистор типа PNP; е) фотоэлемент солнечный; ж) солнечная батарея (n - солнечных элементов); з) светодиод.

2. Датчик Холла.

3. Оптоэлектронные приборы: а) оптрон диодный; б) оптрон тиристорный; в) оптрон резисторный; г) оптрон диодный с усилителем, изображенный совмещенно д) оптрон диодный с усилителем, изображенный разнесение; е) прибор оптоэлектронный с фоторезистором и с выводом от базы; ж) прибор оптоэлектронный с фото резистором без вывода от базы.

На рис. 2.10.3 приведен фрагмент электрической схемы с изображением УГО транзисторов и оптоэлектронных приборов.

Д. Обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполненных при помощи печатающих устройств ЭВМ (табл. 2.10.5)

1. Диод

2. Транзистор: a) типа PNP; б) типа NPN; в) типа PNIP с выводом от I-области; г) многоэмиттерный типа NPN.

Таблица 2.10.3

Таблица 2.10.4

Рис. 2.10.3

Таблица 2.10.5

Поиск по сайту: