Терморезистивные преобразователи

Термопреобразователь сопротивления

Основным предназначением термопреобразователя сопротивления является непрерывное измерение температуры различных рабочих сред, не агрессивных к материалу корпуса датчика. Термопреобразователь сопротивления основывает свою работу на свойствах проводников — изменять свое сопротивление под воздействием температуры окружающей среды.

Основные различия термопреобразователей сопротивления обусловлены различными материалами чувствительного элемента: ТСМ – медь, ТСП – платина.

Для правильного выбора термопреобразователя сопротивления существуют следующие критерии:

-Измеряемые температуры должны соответствовать рабочим диапазонам измерений датчиков;

-Корпус должен быть подобран в соответствии с условиями эксплуатации;

-Необходимо сделать правильный выбор длин соединительного кабеля и погружаемой части термопреобразователя сопротивления.

Тензорезистор

Тензорези́стор (от лат. tensus — напряжённый и лат. resisto — сопротивляюсь) — резистор, сопротивление которого изменяется в зависимости от его деформации[1]. Тензорезисторы используются в тензометрии. С помощью тензорезисторов можно измерять деформации механически связанных с ними элементов.[2], Тензорезистор является основной составной частью тензодатчиков, применяющихся для косвенного измерения силы, давления, веса, механических напряжений, крутящих моментов и пр.

Широкое применение получила мостовая схема включения тензорезисторов – мост Уитстона. Схема представляет собой 4 тензорезистора, соединенных в электрический мост - Рисунок 4.

Фоторезистор

Фоторезистор (от фото- и резистор), представляет собой полупроводниковый резистор, омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности. В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость — увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз (у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два-три порядка). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернисто-свинцовые, сернисто-кадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено-кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью, стабильностью, они экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.

Параметры фоторезисторов

Рабочее напряжение Up — постоянное напряжение, приложенное к фоторезистору, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе в заданных эксплуатационных условиях.

Максимально допустимое напряжение фоторезистора Umax — максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к фоторезистору, при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе в заданных эксплуатационных условиях.

Темновое сопротивление RT — сопротивление фоторезистора в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.

Световое сопротивление Rc — сопротивление фоторезистора, измеренное через определенный интервал времени после начала воздействия излучения, создающего на нем освещенность заданного значения.

Рис. 2.4. Включение фоторезистора в цепь постоянного тока

Магниторезисторы

Магниторезисторы - это электронные компоненты, действие которых основано на изменении электрического сопротивления полупроводника (или металла) при воздействии на него магнитного поля.

Механизм изменения сопротивления довольно сложен, так как является результа­том одновременного действия большого числа разнообразных факторов. К тому же он неодинаков для разных типов приборов, технологий и материалов. Магниторезисторы характеризуются такими параметрами, как магнитная чув­ствительность, номинальное сопротивление, рабочий ток, термостабильность и быстродействие, диапазон рабочих температур.

Основными характеристиками магниторезисторов являются: электрическое сопротивление Ro при отсутствии магнитного поля, функция преобразования (зависимость сопротивления, от значения магнитной индукции), коэффициент относительного изменения сопротивления, допустимое значение тока через магниторезистор, а также температурный коэффициент сопротивления.

Важным параметром магниторезисторов является допустимое значение тока через магниторезистор (/ДОп), которое ограничено допустимым перегревом прибора. В технической документации на магниторезисторы обычно задают допустимое значение тока через магниторезистор.

Конструкция «монолитного» магниторезистора приведена на рис11.18.

23. Емкостные ИП:

Поиск по сайту: