АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Расчетное задание

Читайте также:
  1. Window(x1, y1, x2, y2); Задание окна на экране.
  2. Б) Задание на проверку и коррекцию исходного уровня.
  3. В основной части решается практическое задание.
  4. Второй блок. Количество баллов за задание – 3.
  5. Геоэкологическое задание
  6. Домашнее задание
  7. Домашнее задание
  8. Домашнее задание
  9. Домашнее задание
  10. Домашнее задание
  11. Домашнее задание
  12. Домашнее задание

 

2.3.1 Построить на одном графике, как показано на рисунке 2.5, входныехарактеристики транзистора Iб=f(Uбэ) при фиксированных напряжениях на коллекторе: Uкэ = 0В, Uкэ = 5В и Uкэ = 10В (по данным из таблиц 2.1. и 2.2). По характеристикам определить графическим способом параметры h11 и h12 для области, расположенной на середине восходящего участка,

h11 = ΔUбэ / ΔIб – входное дифференциальное сопротивление транзистора,

h12 = ΔUбэ / ΔUкэ = ΔUбэ1/(10В-5В) – коэффициент внутренней обратной связи.

Рисунок 2.5

Рисунок 2.6

 

2.3.2 Построить на одном графике семейство выходныххарактеристик транзистора Iк=f(Uкэ) при фиксированных токах базы по данным из таблицы 2.3. По характеристикам определить графическим способом параметры h21 и h22 для области, расположенной приблизительно в середине семейства характеристик, как показано на рисунке 2.6

h22= ΔIк/ΔUкэ – выходная дифференциальная проводимость транзистора,

h21 = ΔIк1/ ΔIб = ΔIк1/(Iб111-Iб11) – коэффициент передачи тока базы.

2.3.3 Построить семейство стоковых характеристик Iс = f(Uси) по данным из таблицы 2.4. Провести нагрузочные линии для сопротивлений R1 и R2, оценить коэффициент усиления.

2.3.4 Построить семейство стоко-затворных характеристик транзистора Iс = f(Uзи.) по данным таблицы 2.5. Измерить крутизну характеристики транзистора при различных напряжениях стока.

2.3.5 Вычислить сопротивления канала “сток – исток” при различных напряжениях на затворе по данным таблицы 2.6.

 

2.4 Контрольные вопросы

 

2.4.1 Принцип действия биполярного транзистора, физические процессы в р-n переходах Э-Б и Б-К.

2.4.2 Почему коллекторный ток слабо зависит от коллекторного напряжения?

2.4.3 Изобразить входные и выходные характеристики транзистора по схеме ОБ.

2.4.4 Изобразить входные и выходные характеристики транзистора по схеме ОЭ.

2.4.5 В чём достоинства системы h- параметров транзистора как 4-х полюсника?

2.4.6 В чём коренное отличие полевых транзисторов от биполярных в смысле носителей электрического заряда?

2.4.7 Какие происходят изменения в канале при подаче обратного напряжения на p-n переход “затвор-исток”?

2.4.8 Какие ещё существуют типы полевых транзисторов, кроме исследованного?

2.4.9 Чем управляется ток канала “исток – сток” в полевом транзисторе с изолированным затвором?

2.4.10 В чём преимущества полевых транзисторов перед биполярными?


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)