|
|||||||||||||||||||||
АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Зачет по лабораторным работам1. Окончательная оценка по лабораторной работе выставляется с учетом результатов предварительной беседы, самостоятельности выполнения работы в лаборатории и качества ответа. 2. Семестровый зачет по лабораторным работам выставляется на основании зачетов по всем выполненным работам. 3. ПРИМЕР РАСЧЕТА ЭЛЕКТРОННОГО РЕЖИМА
Исходные данные для расчета транзисторного усилителя · использован транзистор типа КТ903А; · угол отсечки: q = 90°; · напряжение питания E п = U к = 27 В; · величина колебательной мощности P 1 равна 10 Вт; · рабочая частота f равна 3 МГц; · добротность ненагруженной выходной цепи согласования (ЦС) равна 100; · добротность нагруженной (ЦС) равна 20. Параметры кремниевого n-p-n – транзистора типа КТ903А: · граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с ОЭ f т (f гр ) равна 120 МГц; · статический коэффициент передачи тока транзистора в схеме с ОЭ β0(h 21Э0 ) при температуре 20-40°С равен 15…70. Рекомендуется использовать среднее значение: β0 =30; · сопротивление базы r б равно 2 Ом; · напряжение отсечки (запирания) E ¢б равно 0,7 В; · сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером транзистора r нас вч = 1/ S гр зависит от частоты (см. табл.1).
Таблица 1 Сопротивление насыщения транзистора
· интервал рабочих температур транзистора от –40 до +85°С; · максимально допустимое напряжение база-коллектор · максимально допустимое напряжение база-эмиттер · максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер U кэ max = 80 В; · максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер E кэ max = 60 В; · максимально допустимый постоянный ток коллектора · максимально допустимая постоянная мощность, рассеиваемая коллектором, P к max= 30 Вт (с теплоотводом); · максимальная температура перехода t п max=150°С; · тепловое сопротивление переход-корпус R пк =3,33°С/Вт.
Расчет выполняется для граничного режима работы транзистора при использовании линейной аппроксимации ВАХ транзистора. Реальные характеристики заменены отрезками прямых (см. рис. 1). В расчете пренебрегают влиянием индуктивностей выводов и нелинейностью междуэлектродных емкостей транзистора. Расчет обеспечивает небольшую погрешность (10…20 %) при выполнении следующих условий: 1. Форма импульса коллекторного тока близка к косинусоидальной. 2. Выходной контур усилителя настроен в резонанс на частоту возбуждения. 3. Добротность нагруженного контура Q >>1. На практике все эти условия обычно выполняются. При угле отсечки q =90° коэффициенты разложения для косинусоидального импульса равны (см. приложение): .
Поиск по сайту: |
Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.) |