АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Расчет электронного режима входной цепи

Читайте также:
  1. I. Расчет накопительной части трудовой пенсии.
  2. I. Расчет производительности технологической линии
  3. I. Расчет размера страховой части трудовой пенсии.
  4. II этап: запуск программы PowerPoint и выбор режима отображения.
  5. II. Определяем годовые и расчетные часовые расходы газа на бытовое и коммунально - бытовое потребление для населенного пункта
  6. II. Расчетная часть задания
  7. III. Расчет процесса в проточной части ЦВД после камеры смешения.
  8. IV. Расчет продуктов сгорания топлива.
  9. IV. ТИПОВОЙ ПРИМЕР РАСЧЕТОВ.
  10. RPPAYSP (РП. Спецификация расчетов)
  11. V. Расчет теплотехнических параметров смеси, образовавшейся в результате горения.
  12. V.2.1. Расчетные длины участков ступенчатой колонны

Инерционность биполярных транзисторов начинает сказываться уже на частотах, во много раз меньших предельной частоты f т. Инерционность проявляется в запаздывании максимума импульса коллекторного тока относительно возбуждающего напряжения. Кроме того, амплитуда импульса тока уменьшается, а его длительность увеличивается. В токе базы с ростом частоты возрастает емкостная составляющая. С ростом мощности уменьшается активное входное сопротивление транзистора. При мощностях более одного ватта входное сопротивление открытого транзистора составляет единицы или даже доли ома, а закрытого – существенно больше. В этих условиях базу мощного транзистора целесообразно включать во входной контур последовательно, а не параллельно, как это обычно принято в устройствах малой мощности. При последовательном включении в контур входной ток транзистора близок к синусоидальному, а напряжение на входных зажимах транзистора несинусоидально.

Оценим величину мощности возбуждения при синусоидальном входном напряжении. Поскольку на высоких частотах емкость эмиттерного перехода практически закорачивает сопротивление рекомбинации можно принять, что источник возбуждения нагружен лишь на сопротивление базы rб, так что средняя величина входного сопротивления усилителя равна

В этом случае мощность возбуждения равна

В действительности мощность возбуждения транзистора будет несколько меньшей.

Коэффициент усиления транзистора по мощности равен

Следует отметить, что коэффициент усиления по мощности на каскад, определяемый как отношение колебательной мощности P 1 транзистора данного каскада к колебательной мощности транзистора предыдущего каскада P 1пред, получается значительно ниже коэффициента усиления транзистора. Это различие обусловлено потерями мощности в межкаскадной цепи согласования.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)